| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 IGBT发展概述 | 第9-12页 |
| 1.1.2 薄晶圆FS-IGBT设计难点 | 第12-13页 |
| 1.2 FS-IGBT击穿鲁棒性研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文主要工作与设计指标 | 第16-17页 |
| 1.3.1 论文主要工作 | 第16-17页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 FS-IGBT工作原理与器件制备介绍 | 第19-33页 |
| 2.1 FS-IGBT工作原理 | 第19-28页 |
| 2.1.1 击穿电压 | 第19-23页 |
| 2.1.2 导通压降 | 第23-28页 |
| 2.2 FS-IGBT制备及样品介绍 | 第28-31页 |
| 2.2.1 制备工艺 | 第28-29页 |
| 2.2.2 MPW介绍 | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 FS-IGBT击穿鲁棒性测试及失效分析 | 第33-47页 |
| 3.1 FS-IGBT击穿鲁棒性测试 | 第33-34页 |
| 3.2 FS-IGBT终端击穿失效机理分析 | 第34-40页 |
| 3.2.1 过渡区失效分析 | 第34-37页 |
| 3.2.2 终端区失效分析 | 第37-40页 |
| 3.3 FS-IGBT元胞击穿失效机理分析 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 高击穿鲁棒性FS-IGBT优化设计 | 第47-69页 |
| 4.1 FS-IGBT终端击穿性能的优化设计 | 第47-53页 |
| 4.1.1 过渡区优化设计 | 第47-50页 |
| 4.1.2 终端区优化设计 | 第50-51页 |
| 4.1.3 终端结构优化方案 | 第51-53页 |
| 4.2 FS-IGBT元胞击穿性能的优化设计 | 第53-65页 |
| 4.2.1 元胞基本结构参数对阻断I-V特性的影响 | 第53-58页 |
| 4.2.2 双外延对阻断I-V特性的影响 | 第58-62页 |
| 4.2.3 电场调制层对阻断I-V特性的影响 | 第62-64页 |
| 4.2.4 元胞结构优化方案 | 第64-65页 |
| 4.3 高击穿鲁棒性FS-IGBT流片与测试 | 第65-68页 |
| 4.3.1 新型EFM-IGBT流片与测试 | 第65-68页 |
| 4.3.2 测试结果与设计指标对比 | 第68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69页 |
| 5.2 展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第77页 |