| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体光催化概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 光催化原理 | 第10-12页 |
| 1.2.2 光催化研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 光催化面临的技术难题 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨相氮化碳光催化材料概述 | 第14-25页 |
| 1.3.1 发展历史 | 第14-16页 |
| 1.3.2 制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.3 结构与性质 | 第18-19页 |
| 1.3.4 应用领域 | 第19-25页 |
| 1.4 高效g-C_3N_4基光催化材料的制备 | 第25-31页 |
| 1.4.1 形貌调控 | 第25-29页 |
| 1.4.2 掺杂与复合 | 第29-31页 |
| 1.5 本论文选题依据 | 第31-32页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 g-C_3N_4光催化降解性能的酸效应与机理 | 第34-48页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第35页 |
| 2.2.2 制备与表征 | 第35-36页 |
| 2.2.2.1 体相g-C_3N_4的制备 | 第35页 |
| 2.2.2.2 形貌结构与光电化学性能表征 | 第35-36页 |
| 2.2.3 光催化性能测试 | 第36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-47页 |
| 2.3.1 形貌结构 | 第36-37页 |
| 2.3.2 光电化学性能 | 第37-39页 |
| 2.3.3 光催化活性 | 第39-41页 |
| 2.3.4 光催化机理 | 第41-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 C-dots/C_3N_4复合催化剂的制备与光催化性能增强 | 第48-63页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-52页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第49页 |
| 3.2.2 催化剂的制备与表征 | 第49-50页 |
| 3.2.2.1C-dots的制备 | 第49-50页 |
| 3.2.2.2C-dots/C_3N_4复合催化剂的制备 | 第50页 |
| 3.2.2.3 形貌结构与光电化学性能表征 | 第50页 |
| 3.2.3 光催化活性测试 | 第50-52页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第52-62页 |
| 3.3.1 形貌结构 | 第52-55页 |
| 3.3.2 光电化学性能 | 第55-56页 |
| 3.3.3 光催化活性 | 第56-58页 |
| 3.3.4 光催化机理 | 第58-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 氮掺杂g-C_3N_4的制备及其可见光产氢活性探究 | 第63-70页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 实验部分 | 第64-65页 |
| 4.2.1 实验材料与仪器 | 第64页 |
| 4.2.2 催化剂的制备 | 第64-65页 |
| 4.2.3 催化剂的表征 | 第65页 |
| 4.2.4 光催化性能测试 | 第65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-69页 |
| 4.3.1 形貌结构 | 第65-66页 |
| 4.3.2 煅烧环境对g-C_3N_4的影响 | 第66-67页 |
| 4.3.3 光催化活性 | 第67-68页 |
| 4.3.4 光催化机理推测 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论与展望 | 第70-72页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 附录A 攻读硕士期间所获学术成果 | 第88-89页 |
| 附录B 攻读硕士期间所获奖励 | 第89页 |
