基于GaN HEMT的半桥电路分析与设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-14页 |
| 1.2 GaN功率管的相关研究 | 第14-17页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第17-19页 |
| 2 650V E-HEMT特性和驱动电路设计 | 第19-28页 |
| 2.1 650V GaN HEMT特性 | 第19-21页 |
| 2.2 门极驱动电路设计 | 第21-25页 |
| 2.3 驱动芯片选择 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 基于GaN的半桥单元布局与杂散电感抽取 | 第28-38页 |
| 3.1 半桥结构的换流回路分析 | 第28-31页 |
| 3.2 PCB设计的主要问题与解决方案 | 第31-34页 |
| 3.3 寄生参数抽取 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 半桥电路的热分析 | 第38-49页 |
| 4.1 GaN E-HEMT的损耗计算 | 第38-44页 |
| 4.2 半桥电路的热仿真研究 | 第44-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 实验验证 | 第49-56页 |
| 5.1 实验平台概述 | 第49页 |
| 5.2 双脉冲测试结果 | 第49-53页 |
| 5.3 不同工作点下的热性能验证 | 第53-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 6 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 总结 | 第56-57页 |
| 6.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表和录用论文 | 第64页 |
