| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 光催化分解水制氢的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 光催化分解水制氢的反应机理及影响因素 | 第10-13页 |
| 1.2.1 光催化分解水制氢的反应机理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光催化分解水制氢效率的影响因素 | 第11-13页 |
| 1.2.2.1 半导体能带结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2.2 半导体粒径大小 | 第12页 |
| 1.2.2.3 晶体构型和晶体缺陷 | 第12-13页 |
| 1.3 光催化材料制氢性能增强的方法 | 第13-18页 |
| 1.3.1 半导体耦合 | 第13-14页 |
| 1.3.2 元素掺杂 | 第14-15页 |
| 1.3.3 表面修饰 | 第15-18页 |
| 1.3.3.1 贵金属电子助剂修饰 | 第16-17页 |
| 1.3.3.2 非贵金属电子助剂修饰 | 第17-18页 |
| 1.4 硫化钼基半导体光催化材料的研究现状 | 第18-25页 |
| 1.4.1 硫化钼的结构与性质 | 第18-19页 |
| 1.4.2 硫化钼基光催化材料的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.4.2.1 晶化硫化钼基光催化材料 | 第20-21页 |
| 1.4.2.2 无定形硫化钼基光催化材料 | 第21-22页 |
| 1.4.3 硫化钼基光催化材料制氢性能的增强方法 | 第22-25页 |
| 1.4.3.1 结构调控 | 第22-23页 |
| 1.4.3.2 异原子掺杂 | 第23-25页 |
| 1.5 本论文的选题依据与思路 | 第25-26页 |
| 第2章 无定形MoS_x电子助剂增强半导体材料光催化制氢性能与机理研究 | 第26-43页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-30页 |
| 2.2.1 g-C_3N_4光催化材料的合成 | 第27页 |
| 2.2.2 无定形MoS_x/g-C_3N_4光催化材料的合成 | 第27-28页 |
| 2.2.3 无定形MoS_x修饰其它光催化材料的合成 | 第28页 |
| 2.2.4 晶化MoS_2/g-C_3N_4光催化材料的合成 | 第28页 |
| 2.2.5 样品的表征 | 第28-29页 |
| 2.2.6 光催化制氢性能测试 | 第29页 |
| 2.2.7 光电化学测试 | 第29-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-42页 |
| 2.3.1 无定形MoS_x/g-C_3N_4光催化剂的合成思路 | 第30-31页 |
| 2.3.2 形貌和微结构分析 | 第31-36页 |
| 2.3.3 光催化性能与机理研究 | 第36-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 无定形双金属硫化物MMoS_x/CdS光催化材料的光诱导合成及其制氢性能研究 | 第43-61页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-47页 |
| 3.2.1 CdS光催化材料的合成 | 第44页 |
| 3.2.2 无定形MoS_x/CdS光催化材料的合成 | 第44-45页 |
| 3.2.3 无定形双金属硫化钴钼CoMoS_x/CdS光催化材料的合成 | 第45页 |
| 3.2.4 无定形双金属硫化钴钼CoMoS_x修饰其它光催化材料的合成 | 第45-46页 |
| 3.2.5 其他无定形钼基双金属硫化物MMoS_x/CdS光催化材料的合成 | 第46页 |
| 3.2.6 样品表征 | 第46页 |
| 3.2.7 光催化制氢性能测试 | 第46页 |
| 3.2.8 光电化学测试 | 第46-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-60页 |
| 3.3.1 a-CoMoS_x/CdS光催化剂的合成思路 | 第47-48页 |
| 3.3.2 形貌和微结构分析 | 第48-51页 |
| 3.3.3 光催化性能研究 | 第51-55页 |
| 3.3.4 光电化学分析与机理研究 | 第55-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-75页 |
| 攻读硕士期间获得与学位论文相关的科研成果 | 第75页 |
