| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第12-13页 |
| ·SOI工艺概述 | 第13-16页 |
| ·SOI技术特点 | 第13-14页 |
| ·SOI硅材料片制备技术 | 第14-15页 |
| ·SOI器件研究 | 第15-16页 |
| ·SOI MOSFET SPICE模型 | 第16-19页 |
| ·MOSFET SPICE模型简介 | 第16-18页 |
| ·国内外SOI SPICE器件模型参数提取技术研究现状 | 第18-19页 |
| ·SOI的总剂量效应（TID） | 第19-20页 |
| ·本文的组织结构 | 第20-22页 |
| 第二章 SOI MOSFET 器件物理研究 | 第22-31页 |
| ·SOI 的器件结构特点 | 第22-24页 |
| ·PD SOI MOS器件特性 | 第24-27页 |
| ·浮体效应 | 第24-26页 |
| ·自加热效应 | 第26页 |
| ·背栅效应 | 第26页 |
| ·SOI器件的瞬态浮体效应和瞬态特性 | 第26-27页 |
| ·抑制PD SOl MOS器件浮体效应的技术 | 第27-30页 |
| ·体接触技术 | 第27-29页 |
| ·工艺技术 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 BSIM3-SOI PD模型研究 | 第31-45页 |
| ·BSIM3-SOI PD模型概述 | 第31页 |
| ·PD SOI MOS I-V模型 | 第31-34页 |
| ·浮体作用和有效体电位 | 第32页 |
| ·高体电位(Vbs)区的阈值电压 | 第32-34页 |
| ·体电流模型 | 第34-38页 |
| ·二极管和寄生BJT电流 | 第34-36页 |
| ·新碰撞电离电流等式 | 第36页 |
| ·栅极导致漏极漏电流(GIDL) | 第36-37页 |
| ·体接触电流 | 第37页 |
| ·体接触寄生效应 | 第37-38页 |
| ·MOS C-V模型 | 第38-42页 |
| ·电荷守恒 | 第38-39页 |
| ·内在电荷 | 第39-41页 |
| ·源/漏结电荷 | 第41页 |
| ·外部电容 | 第41-42页 |
| ·体接触寄生效应 | 第42页 |
| ·MOS温度依赖性和自加热效应 | 第42-44页 |
| ·温度依赖性 | 第43页 |
| ·自加热效应 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 0.5μm SOI CMOS SPICE模型参数提取验证 | 第45-63页 |
| ·准备工作 | 第45-47页 |
| ·模型选择 | 第45页 |
| ·SOl工艺参数选择 | 第45页 |
| ·SOI SPICE器件模型参数提取的设备软件准备 | 第45-47页 |
| ·SOI SPICE器件模型参数的提取策略、器件结构和测试条件设计 | 第47-52页 |
| ·提取策略 | 第47-51页 |
| ·器件结构设计 | 第51-52页 |
| ·测试条件设计 | 第52页 |
| ·0.5μm SOI SPICE模型参数提取 | 第52-60页 |
| ·0.5μm SOI NMOSFET器件模型参数提取 | 第52-57页 |
| ·0.5μm SOI PMOSFET器件模型参数提取 | 第57-60页 |
| ·模型参数验证 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 SOI的总剂量效应建模 | 第63-74页 |
| ·SOI中的辐照效应与加固技术 | 第63-65页 |
| ·SOI工艺的辐射损伤 | 第63-64页 |
| ·SOI工艺的辐射加固 | 第64-65页 |
| ·SOI的电离总剂量效应机理 | 第65-68页 |
| ·TID效应的物理建模理论 | 第68-73页 |
| ·TID效应的物理建模理论[83] | 第68-71页 |
| ·一种实现TID快速建模的方法 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结束语 | 第74-75页 |
| ·本文工作总结 | 第74页 |
| ·未来工作展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第81页 |
