| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第12-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-24页 |
| 1.2.1 表面阻抗边界条件的研究 | 第15-20页 |
| 1.2.2 吸收边界条件的研究 | 第20-22页 |
| 1.2.3 非均匀网格技术的研究 | 第22-24页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 1.4 论文的章节安排 | 第26-28页 |
| 第2章 时域有限差分方法的边界条件 | 第28-50页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 时域有限差分方法理论基础 | 第28-34页 |
| 2.3 时域有限差分方法中的边界条件 | 第34-48页 |
| 2.3.1 表面阻抗边界条件 | 第34-38页 |
| 2.3.2 PEC和PMC边界条件 | 第38-39页 |
| 2.3.3 吸收边界条件 | 第39-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 后置理想电导体的表面阻抗边界条件研究 | 第50-72页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 后置理想电导体的表面阻抗边界条件的理论推导分析 | 第50-58页 |
| 3.2.1 等效磁流源方法 | 第50-52页 |
| 3.2.2 一维空间中的PEC-SIBC | 第52-54页 |
| 3.2.3 二维空间中的PEC-SIBC | 第54-56页 |
| 3.2.4 三维空间中的PEC-SIBC | 第56-58页 |
| 3.3 后置理想电导体表面阻抗边界条件的性能分析 | 第58-69页 |
| 3.3.1 一维空间中的PEC-SIBC性能分析 | 第58-61页 |
| 3.3.2 二维空间中的PEC-SIBC性能分析 | 第61-66页 |
| 3.3.3 PEC-SIBC的计算复杂度分析 | 第66-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 第4章 表面阻抗吸收边界条件研究 | 第72-102页 |
| 4.1 引言 | 第72页 |
| 4.2 表面阻抗吸收边界条件的理论分析推导 | 第72-84页 |
| 4.2.1 一维空间中的SIABC | 第73-74页 |
| 4.2.2 二维空间中的SIABC | 第74-76页 |
| 4.2.3 三维空间中的SIABC | 第76-81页 |
| 4.2.4 SIABC的角点和棱边的处理 | 第81-84页 |
| 4.3 表面阻抗吸收边界条件的性能分析 | 第84-100页 |
| 4.3.1 一维空间中的SIABC性能分析 | 第85-86页 |
| 4.3.2 三维空间中的SIABC性能分析 | 第86-98页 |
| 4.3.3 SIABC的内存消耗分析 | 第98-100页 |
| 4.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 第5章 非均匀网格表面阻抗吸收边界条件研究 | 第102-120页 |
| 5.1 引言 | 第102页 |
| 5.2 非均匀网格表面阻抗吸收边界条件的理论分析推导 | 第102-108页 |
| 5.2.1 渐变步长非均匀网格技术研究 | 第102-104页 |
| 5.2.2 非均匀网格SIABC的研究 | 第104-106页 |
| 5.2.3 非均匀网格SIABC稳定性分析 | 第106-107页 |
| 5.2.4 非均匀网格的非物理性反射 | 第107-108页 |
| 5.3 非均匀网格表面阻抗吸收边界条件的性能分析 | 第108-118页 |
| 5.3.1 低通滤波器仿真分析 | 第108-110页 |
| 5.3.2 贴片天线仿真分析 | 第110-113页 |
| 5.3.3 介质球散射仿真分析 | 第113-115页 |
| 5.3.4 非均匀网格SIABC在FDTD中的内存占比数值分析 | 第115-118页 |
| 5.4 本章小结 | 第118-120页 |
| 结论 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
