| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SOI-LDMOS器件静态耐压研究的国内外现状 | 第9-16页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 SOI-LDMOS器件动态耐压研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 课题研究意义 | 第18-21页 |
| 2 SOI器件深耗尽效应的简介及相关参数的优化 | 第21-39页 |
| 2.1 SOI深耗尽效应产生的物理机制 | 第21-25页 |
| 2.1.1 深耗尽效应状态简介 | 第21-22页 |
| 2.1.2 理想MIS结构的电容—电压特性 | 第22-25页 |
| 2.2 动态仿真测试电路 | 第25-27页 |
| 2.3 SOI-LDMOS衬底深耗尽效应对器件性能的影响 | 第27-31页 |
| 2.3.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的影响 | 第27-30页 |
| 2.3.2 衬底深耗尽效应对器件导通特性的影响 | 第30-31页 |
| 2.4 衬底深耗尽效应的参数优化 | 第31-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 3 衬底深耗尽效应对SOI-LDMOS的耐压特性影响分析 | 第39-57页 |
| 3.1 动态耐压下SOI的二维耐压模型建立 | 第39-50页 |
| 3.1.1 漂移区的模型建立 | 第39-43页 |
| 3.1.2 衬底耗尽区模型的建立 | 第43-50页 |
| 3.2 衬底深耗尽效应对耐压特性改变的物理机制 | 第50-56页 |
| 3.2.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的改善 | 第50-53页 |
| 3.2.2 衬底耗尽区对纵向击穿特性的的影响 | 第53-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 4 衬底深耗尽效应在ZVS半波准谐振变换器中的运用 | 第57-77页 |
| 4.1 开关技术的分类 | 第58-60页 |
| 4.1.1 硬开关技术 | 第58-59页 |
| 4.1.2 软开关技术(Soft-Switching) | 第59-60页 |
| 4.1.3 广义软开关(GeneralizedSoftSwitching) | 第60页 |
| 4.2 ZCS/ZVS谐振转换器简介 | 第60-62页 |
| 4.3 ZVS准谐振转换器 | 第62-67页 |
| 4.3.1 ZVS半波准谐振变换器简介 | 第62页 |
| 4.3.2 ZVS-QRC的仿真验证 | 第62-67页 |
| 4.4 SOI-LDMOS器件在ZVS-QRC中的仿真验证 | 第67-70页 |
| 4.5 SOI-LDMOS器件的衬底掺杂浓度对ZVS-QRC的影响 | 第70-72页 |
| 4.6 SOI-LDMOS器件的漂移区掺杂浓度对ZVS-QRC的影响 | 第72-75页 |
| 4.7 本章总节 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及科研成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
