首页--工业技术论文--电工技术论文--变压器、变流器及电抗器论文--变流器论文

SOI-LDMOS深耗尽效应对动态耐压影响的研究及其在ZVS变换器中的应用

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-21页
    1.1 引言第9页
    1.2 SOI-LDMOS器件静态耐压研究的国内外现状第9-16页
        1.2.1 国外研究现状第10-13页
        1.2.2 国内研究现状第13-16页
    1.3 SOI-LDMOS器件动态耐压研究现状第16-18页
    1.4 课题研究意义第18-21页
2 SOI器件深耗尽效应的简介及相关参数的优化第21-39页
    2.1 SOI深耗尽效应产生的物理机制第21-25页
        2.1.1 深耗尽效应状态简介第21-22页
        2.1.2 理想MIS结构的电容—电压特性第22-25页
    2.2 动态仿真测试电路第25-27页
    2.3 SOI-LDMOS衬底深耗尽效应对器件性能的影响第27-31页
        2.3.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的影响第27-30页
        2.3.2 衬底深耗尽效应对器件导通特性的影响第30-31页
    2.4 衬底深耗尽效应的参数优化第31-37页
    2.5 本章小结第37-39页
3 衬底深耗尽效应对SOI-LDMOS的耐压特性影响分析第39-57页
    3.1 动态耐压下SOI的二维耐压模型建立第39-50页
        3.1.1 漂移区的模型建立第39-43页
        3.1.2 衬底耗尽区模型的建立第43-50页
    3.2 衬底深耗尽效应对耐压特性改变的物理机制第50-56页
        3.2.1 衬底深耗尽效应对RESURF效应的改善第50-53页
        3.2.2 衬底耗尽区对纵向击穿特性的的影响第53-56页
    3.3 本章小结第56-57页
4 衬底深耗尽效应在ZVS半波准谐振变换器中的运用第57-77页
    4.1 开关技术的分类第58-60页
        4.1.1 硬开关技术第58-59页
        4.1.2 软开关技术(Soft-Switching)第59-60页
        4.1.3 广义软开关(GeneralizedSoftSwitching)第60页
    4.2 ZCS/ZVS谐振转换器简介第60-62页
    4.3 ZVS准谐振转换器第62-67页
        4.3.1 ZVS半波准谐振变换器简介第62页
        4.3.2 ZVS-QRC的仿真验证第62-67页
    4.4 SOI-LDMOS器件在ZVS-QRC中的仿真验证第67-70页
    4.5 SOI-LDMOS器件的衬底掺杂浓度对ZVS-QRC的影响第70-72页
    4.6 SOI-LDMOS器件的漂移区掺杂浓度对ZVS-QRC的影响第72-75页
    4.7 本章总节第75-77页
结论第77-79页
参考文献第79-83页
攻读硕士学位期间发表论文及科研成果第83-84页
致谢第84-85页

论文共85页,点击 下载论文
上一篇:短时电能质量扰动信号的压缩重构方法研究
下一篇:模块化多电平换流器的均压优化和容错策略研究