| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 功率半导体器件概况 | 第9-12页 |
| 1.2 槽型高压MOSFET研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 具有埋P层的槽型横向高压MOSFET研究 | 第16-33页 |
| 2.1 器件结构与机理 | 第16-20页 |
| 2.2 关键参数对器件性能的影响 | 第20-24页 |
| 2.2.1 埋P层距氧化槽底部的间距 | 第20-21页 |
| 2.2.2 P条和埋P层的掺杂浓度 | 第21页 |
| 2.2.3 漂移区掺杂浓度 | 第21-22页 |
| 2.2.4 埋氧层厚度 | 第22-24页 |
| 2.3 新器件与常规结构的特性对比 | 第24-28页 |
| 2.4 器件的关键工艺步骤 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 具有变k介质槽的横向高压MOSFET研究 | 第33-47页 |
| 3.1 器件结构与机理 | 第33-36页 |
| 3.2 关键参数对器件性能的影响 | 第36-40页 |
| 3.2.1 低k介质的填充深度 | 第36-37页 |
| 3.2.2 介质槽与埋氧层之间的距离 | 第37页 |
| 3.2.3 介质槽深度 | 第37-38页 |
| 3.2.4 介质槽宽度 | 第38-39页 |
| 3.2.5 P条掺杂浓度 | 第39-40页 |
| 3.2.6 漂移区掺杂浓度 | 第40页 |
| 3.3 新器件与常规器件的特性对比 | 第40-43页 |
| 3.4 器件的关键工艺步骤 | 第43-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 具有变k介质槽与埋P层的横向高压MOSFET研究 | 第47-57页 |
| 4.1 器件结构与机理 | 第47-49页 |
| 4.1.1 器件结构特征 | 第47-48页 |
| 4.1.2 耐压与导通机理分析 | 第48-49页 |
| 4.2 器件参数的优化设计 | 第49-53页 |
| 4.2.1 埋P层距变k介质槽底部的间距 | 第50页 |
| 4.2.2 低k介质的填充深度 | 第50-51页 |
| 4.2.3 P条和埋P层的掺杂浓度 | 第51-52页 |
| 4.2.4 漂移区掺杂浓度 | 第52-53页 |
| 4.3 新器件与常规结构的特性对比 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63-64页 |