| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8页 |
| 1.2 单晶蓝宝石的材料特性 | 第8-11页 |
| 1.2.1 单晶蓝宝石的结构特性 | 第8-9页 |
| 1.2.2 单晶蓝宝石的物理特性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 单晶蓝宝石的机械特性 | 第10页 |
| 1.2.4 单晶蓝宝石的热学特性 | 第10页 |
| 1.2.5 单晶蓝宝石的光学性能 | 第10-11页 |
| 1.3 A向蓝宝石精密加工研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 化学机械抛光(CMP)技术 | 第12-16页 |
| 1.4.1 传统CMP的技术特点 | 第12-13页 |
| 1.4.2 化学机械抛光技术影响因素 | 第13-16页 |
| 1.5 课题研究内容及意义 | 第16-18页 |
| 1.5.1 课题研究意义 | 第16页 |
| 1.5.2 课题研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 A向蓝宝石晶片CMP抛光液组分优化 | 第18-34页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验 | 第18-19页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第18页 |
| 2.2.2 抛光液的制备 | 第18-19页 |
| 2.2.3 化学机械抛光实验 | 第19页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第19-32页 |
| 2.3.1 不同磨粒对抛光效果的影响 | 第19-22页 |
| 2.3.2 磨粒浓度对抛光效果的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.3 不同添加剂对抛光效果的影响 | 第24-29页 |
| 2.3.4 最终优化参数分析 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 A向蓝宝石CMP抛光工艺参数优化 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 试验方法 | 第34-37页 |
| 3.2.1 抛光液的制备 | 第34页 |
| 3.2.2 抛光工艺参数的正交试验 | 第34-37页 |
| 3.3 试验结果与讨论 | 第37-42页 |
| 3.3.1 抛光压力对抛光效果的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.2 抛光盘转速对抛光效果的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 抛光液流量对抛光效果的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 抛光液和晶片表面的相互作用分析 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 试验材料与方法 | 第43-44页 |
| 4.2.1 粒径分布检测 | 第43-44页 |
| 4.2.2 Zeta测量 | 第44页 |
| 4.2.3 SEM观察 | 第44页 |
| 4.3 试验结果与讨论 | 第44-52页 |
| 4.3.1 粒径分布分析 | 第44-47页 |
| 4.3.2 Zeta电势分析 | 第47-48页 |
| 4.3.3 SiO_2磨粒在蓝宝石晶片表面的吸附情况分析 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 化学机械抛光过程中的摩擦学行为研究 | 第53-62页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 试验方法 | 第53-54页 |
| 5.3 蓝宝石晶片在不同抛光液中的摩擦学行为 | 第54-60页 |
| 5.3.1 SiO_2磨粒对其摩擦学行为的影响 | 第54-57页 |
| 5.3.2 不同表面活性剂对其摩擦学行为的影响 | 第57-59页 |
| 5.3.3 pH值对其摩擦学行为的影响 | 第59-60页 |
| 5.3.4 压力对其摩擦学行为的影响 | 第60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 主要结论与展望 | 第62-64页 |
| 主要结论 | 第62-63页 |
| 研究展望 | 第63页 |
| 创新点 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |