| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 石墨烯结构及基本特性 | 第7-9页 |
| 1.2 石墨烯纳米带及其能带结构 | 第9-13页 |
| 2 理论模型和研究方法 | 第13-21页 |
| 2.1 紧束缚模型 | 第13-15页 |
| 2.2 格林函数方法 | 第15-21页 |
| 3 单一外场调控下石墨烯纳米带的电子输运性质 | 第21-31页 |
| 3.1 AB子晶格势作用下石墨烯纳米带的输运性质 | 第21-23页 |
| 3.2 非均匀电场作用下石墨烯纳米带的输运性质 | 第23-26页 |
| 3.3 单轴应力作用下石墨烯纳米带的输运性质 | 第26-29页 |
| 3.4 总结 | 第29-31页 |
| 4 在单轴应力和非均匀电场共同调控下Armchair石墨烯纳米带的输运性质 | 第31-40页 |
| 4.1 引言 | 第31-32页 |
| 4.2 理论模型 | 第32-33页 |
| 4.3 能带结构和输运性质 | 第33-39页 |
| 4.3.1 N=3m型的Armchair石墨烯纳米带 | 第33-35页 |
| 4.3.2 N=3m+1型的Armchair石墨烯纳米带 | 第35-36页 |
| 4.3.3 N=3m+2型的Armchair石墨烯纳米带 | 第36-39页 |
| 4.4 总结 | 第39-40页 |
| 5 非均匀电势和子晶格势调控下Armchair石墨烯纳米带的电子特性 | 第40-45页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 模型与方法 | 第40-41页 |
| 5.3 数值结果与分析 | 第41-43页 |
| 5.4 结论 | 第43-45页 |
| 6 总结与展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 攻读硕士学位期间所做的工作 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
