| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 有机分子在石墨烯表面的自组装 | 第11-15页 |
| 1.2 黑磷的潜在应用与环境不稳定性 | 第15-17页 |
| 1.3 二硫化钼作为析氢催化剂的表面惰性 | 第17-18页 |
| 1.4 原子厚度二维铁电材料的进展 | 第18-20页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.6 参考文献 | 第21-31页 |
| 第二章 理论方法 | 第31-37页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第31-34页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第31-32页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第32-33页 |
| 2.1.3 密度泛函理论 | 第33-34页 |
| 2.2 分子动力学模拟 | 第34-36页 |
| 2.2.1 分子内相互作用 | 第34-35页 |
| 2.2.2 分子间相互作用 | 第35-36页 |
| 2.3 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 分子在石墨烯上自组装内在机制的理论研究 | 第37-55页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-50页 |
| 3.3.1 分子在石墨烯上从无序到有序的可视化 | 第39-40页 |
| 3.3.2 分子由无序到有序的内在驱动力 | 第40-43页 |
| 3.3.3 石墨烯衬底的作用 | 第43页 |
| 3.3.4 分子间氢键的作用 | 第43-47页 |
| 3.3.5 有机薄膜有序度的有效提升 | 第47-48页 |
| 3.3.6 自我极限外延生长的内在机制 | 第48-50页 |
| 3.4 小结 | 第50页 |
| 3.5 参考文献 | 第50-55页 |
| 第四章 利用表面自组装有机薄膜提升黑磷环境稳定性 | 第55-71页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 计算方法 | 第56-57页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第57-65页 |
| 4.3.1 PTCDA分子和黑磷的结合方式 | 第57-58页 |
| 4.3.2 PTCDA分子对黑磷电子结构的影响 | 第58页 |
| 4.3.3 自组装PTCDA薄膜对黑磷的保护 | 第58-62页 |
| 4.3.4 黑磷层数、晶界以及台阶对保护效果的影响 | 第62-65页 |
| 4.4 小结 | 第65-66页 |
| 4.5 参考文献 | 第66-71页 |
| 第五章 通过表面自组装提升二硫化钼表面析氢活性 | 第71-87页 |
| 5.1 引言 | 第71-72页 |
| 5.2 计算方法 | 第72-73页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第73-81页 |
| 5.3.1 二硫化铝上的Ni(abt)_2的析氢活性 | 第73-74页 |
| 5.3.2 组装在二硫化钼上的Ni(abt)_2的稳定性 | 第74-76页 |
| 5.3.3 二硫化钼上的自组装Ni(abt)_2薄膜的制备 | 第76-77页 |
| 5.3.4 借助于表面自组装构筑双功能电催化剂 | 第77-81页 |
| 5.4 小结 | 第81页 |
| 5.5 参考文献 | 第81-87页 |
| 第六章 表面空缺诱导三碘化铬的铁磁增强与面外铁电 | 第87-101页 |
| 6.1 引言 | 第87-88页 |
| 6.2 计算方法 | 第88-89页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第89-95页 |
| 6.3.1 碘空缺诱导的面外铁电 | 第89-92页 |
| 6.3.2 碘空缺增强三碘化铬的铁磁性 | 第92-93页 |
| 6.3.3 卤原子空缺对其它一些过渡金属三卤族化合物的影响 | 第93-95页 |
| 6.4 小结 | 第95页 |
| 6.5 参考文献 | 第95-101页 |
| 第七章 论文总结与展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 攻读博士学位期间已发表和待发表论文 | 第105页 |
