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氧化锌MOCVD生长的计算机控制与硫掺杂调控研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
第一章 绪论第12-38页
    1.1 ZnO材料特性概述第12-16页
        1.1.1 ZnO研究概况第12-13页
        1.1.2 ZnO基本性质第13-16页
    1.2 金属有机化学气相沉积系统第16-23页
        1.2.1 金属化学气相沉积的基本过程第16-20页
        1.2.2 金属化学气相沉积系统的基本结构第20-23页
    1.3 高失配合金材料研究简介第23-31页
        1.3.1 高失配合金的基本性质及研究概况第23-25页
        1.3.2 ZnO基阴离子替代高失配合金材料的研究第25-31页
    1.4 本文研究动机及结构第31-32页
    本章参考文献第32-38页
第二章 基于计算机的材料生长自动化控制模块开发第38-52页
    2.1 材料生长过程中的生长条件控制第39-41页
    2.2 自动化生长控制模块的硬件设计第41-43页
    2.3 基于计算机的自动化生长控制模块软件编程第43-49页
    2.4 本章小结第49-51页
    本章参考文献第51-52页
第三章 ZnO_(1-x)S_x合金薄膜的生长处理与表征分析第52-90页
    3.1 实验设计及工艺第52-54页
    3.2 ZnO_(1-x)S_x合金薄膜的生长与处理第54-56页
    3.3 ZnO_(1-x)S_x薄膜表征与分析第56-82页
    3.4 结果分析与讨论第82-84页
    3.5 本章小结第84-85页
    本章参考文献第85-90页
第四章 总结第90-92页
在学期间发表的学术论文与研究成果第92-93页
致谢第93-94页

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