| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 低β超导加速腔性能提高的意义 | 第8-9页 |
| 1.2 低β超导加速腔制造过程中提高性能的三个步骤 | 第9-14页 |
| 1.2.1 优化超导加速腔结构以提高加速梯度 | 第9-10页 |
| 1.2.2 稳定超导加速腔加速电压的幅度和相位 | 第10-12页 |
| 1.2.3 抑制次级电子倍增现象 | 第12-14页 |
| 1.3 论文工作的主要内容和创新点 | 第14-16页 |
| 第2章 “Race-car”超导加速腔的设计 | 第16-40页 |
| 2.1 低β超导加速腔的研究现状 | 第16-23页 |
| 2.1.1 低β加速腔的定义 | 第16-17页 |
| 2.1.2 加速腔的性能参数介绍 | 第17-22页 |
| 2.1.3 低β超导加速腔的设计思路 | 第22-23页 |
| 2.2 低β加速腔的历史及“Race-car”概念的意义 | 第23-26页 |
| 2.3 “Race-car”超导加速腔的 EM 场优化 | 第26-32页 |
| 2.3.1 FRIB 的β=0.085 的超导四分之一波长腔的性能 | 第26-27页 |
| 2.3.2 “Race-car”的 EM 场优化步骤 | 第27-32页 |
| 2.4 “Race-car”超导加速腔二级场引起的束流偏转问题 | 第32-36页 |
| 2.4.1 四分之一波长腔的二级场束流偏转分析及矫正方法介绍 | 第32-34页 |
| 2.4.2 “Race-car”的二级场束流偏转分析及矫正 | 第34-36页 |
| 2.5 “Race-car”超导加速腔的次级电子倍增问题 | 第36-38页 |
| 2.5.1 FRIB 加速腔的次级电子倍增现象的仿真和实验验证 | 第36-37页 |
| 2.5.2 “Race-car”的次级电子倍增现象 | 第37-38页 |
| 2.6 小结 | 第38-40页 |
| 第3章 超导加速腔加速电压的控制研究 | 第40-71页 |
| 3.1 超导加速腔加速电压控制的研究现状 | 第40-50页 |
| 3.1.1 超导加速腔加速电压的干扰源 | 第41页 |
| 3.1.2 低电平控制超导加速腔加速电压 | 第41-45页 |
| 3.1.3 调谐器控制超导加速腔加速电压 | 第45-48页 |
| 3.1.4 PI 和 ADRC 控制算法的介绍 | 第48-50页 |
| 3.2 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的应用及对比 | 第50-55页 |
| 3.2.1 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的仿真比较 | 第51-54页 |
| 3.2.2 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的实验比较 | 第54-55页 |
| 3.3 压电陶瓷快速调谐器的设计以及 PI 和 ADRC 算法在快速调谐器上的应用对比 | 第55-63页 |
| 3.4 超导加速腔加速电压控制的模型研究 | 第63-69页 |
| 3.5 小结 | 第69-71页 |
| 第4章 功率耦合器和加速腔的次级电子倍增现象的研究 | 第71-95页 |
| 4.1 次级电子倍增现象的研究现状 | 第71-76页 |
| 4.1.1 次级电子倍增现象产生的条件 | 第72-74页 |
| 4.1.2 次级电子倍增现象的分类 | 第74-76页 |
| 4.2 同轴型功率耦合器中的次级电子倍增现象 | 第76-90页 |
| 4.2.1 同轴线次级电子倍增现象的预测模型 | 第76-81页 |
| 4.2.2 FRIB 的功率耦合器在 TDCM 测试中产生的次级电子倍增现象的分析 | 第81-86页 |
| 4.2.3 FRIB 二分之一波长腔的功率耦合器针对次级电子倍增现象的结构优化 | 第86-90页 |
| 4.3 加速腔中的次级电子倍增现象 | 第90-94页 |
| 4.3.1 加速腔中次级电子倍增现象的预测模型 | 第90-92页 |
| 4.3.2 加速腔针对次级电子倍增现象的结构优化 | 第92-94页 |
| 4.4 小结 | 第94-95页 |
| 第5章 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第102页 |
