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提高低β超导加速腔性能的研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 绪论第7-16页
    1.1 低β超导加速腔性能提高的意义第8-9页
    1.2 低β超导加速腔制造过程中提高性能的三个步骤第9-14页
        1.2.1 优化超导加速腔结构以提高加速梯度第9-10页
        1.2.2 稳定超导加速腔加速电压的幅度和相位第10-12页
        1.2.3 抑制次级电子倍增现象第12-14页
    1.3 论文工作的主要内容和创新点第14-16页
第2章 “Race-car”超导加速腔的设计第16-40页
    2.1 低β超导加速腔的研究现状第16-23页
        2.1.1 低β加速腔的定义第16-17页
        2.1.2 加速腔的性能参数介绍第17-22页
        2.1.3 低β超导加速腔的设计思路第22-23页
    2.2 低β加速腔的历史及“Race-car”概念的意义第23-26页
    2.3 “Race-car”超导加速腔的 EM 场优化第26-32页
        2.3.1 FRIB 的β=0.085 的超导四分之一波长腔的性能第26-27页
        2.3.2 “Race-car”的 EM 场优化步骤第27-32页
    2.4 “Race-car”超导加速腔二级场引起的束流偏转问题第32-36页
        2.4.1 四分之一波长腔的二级场束流偏转分析及矫正方法介绍第32-34页
        2.4.2 “Race-car”的二级场束流偏转分析及矫正第34-36页
    2.5 “Race-car”超导加速腔的次级电子倍增问题第36-38页
        2.5.1 FRIB 加速腔的次级电子倍增现象的仿真和实验验证第36-37页
        2.5.2 “Race-car”的次级电子倍增现象第37-38页
    2.6 小结第38-40页
第3章 超导加速腔加速电压的控制研究第40-71页
    3.1 超导加速腔加速电压控制的研究现状第40-50页
        3.1.1 超导加速腔加速电压的干扰源第41页
        3.1.2 低电平控制超导加速腔加速电压第41-45页
        3.1.3 调谐器控制超导加速腔加速电压第45-48页
        3.1.4 PI 和 ADRC 控制算法的介绍第48-50页
    3.2 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的应用及对比第50-55页
        3.2.1 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的仿真比较第51-54页
        3.2.2 PI 和 ADRC 控制算法在低电平控制中的实验比较第54-55页
    3.3 压电陶瓷快速调谐器的设计以及 PI 和 ADRC 算法在快速调谐器上的应用对比第55-63页
    3.4 超导加速腔加速电压控制的模型研究第63-69页
    3.5 小结第69-71页
第4章 功率耦合器和加速腔的次级电子倍增现象的研究第71-95页
    4.1 次级电子倍增现象的研究现状第71-76页
        4.1.1 次级电子倍增现象产生的条件第72-74页
        4.1.2 次级电子倍增现象的分类第74-76页
    4.2 同轴型功率耦合器中的次级电子倍增现象第76-90页
        4.2.1 同轴线次级电子倍增现象的预测模型第76-81页
        4.2.2 FRIB 的功率耦合器在 TDCM 测试中产生的次级电子倍增现象的分析第81-86页
        4.2.3 FRIB 二分之一波长腔的功率耦合器针对次级电子倍增现象的结构优化第86-90页
    4.3 加速腔中的次级电子倍增现象第90-94页
        4.3.1 加速腔中次级电子倍增现象的预测模型第90-92页
        4.3.2 加速腔针对次级电子倍增现象的结构优化第92-94页
    4.4 小结第94-95页
第5章 结论第95-97页
参考文献第97-100页
致谢第100-102页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第102页

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