摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-12页 |
1.2 电光调制器调制失真抑制的研究进展 | 第12-18页 |
1.2.1 国内外的研究动态 | 第12-18页 |
1.2.1.1 电路预失真及电路前馈 | 第12-13页 |
1.2.1.2 电光预失真及前馈 | 第13-15页 |
1.2.1.3 混合偏振控制法 | 第15页 |
1.2.1.4 平衡探测法 | 第15-16页 |
1.2.1.5 调制器级联与并联 | 第16-17页 |
1.2.1.6 微环辅助 | 第17-18页 |
1.2.2 应用趋势 | 第18页 |
1.3 本论文的主要工作及安排 | 第18-20页 |
1.3.1 本论文的主要工作 | 第18页 |
1.3.2 本论文的结构安排 | 第18-20页 |
第二章 铌酸锂电光强度调制器的基本原理及调制失真分析 | 第20-35页 |
2.1 铌酸锂晶体的物理基础 | 第20-22页 |
2.2 M-Z型电光强度调制器 | 第22-25页 |
2.2.1 铌酸锂晶体的相位调制 | 第22-23页 |
2.2.2 M-Z型强度调制器的结构及原理 | 第23-25页 |
2.3 M-Z强度调制器调制失真分析 | 第25-34页 |
2.3.1 调制失真的理论分析 | 第25-29页 |
2.3.2 交调失真 | 第29-31页 |
2.3.3 M-Z电光强度调制器的交调失真 | 第31-34页 |
2.4 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 基于单端信号DPMZM的抑制交调失真研究 | 第35-47页 |
3.1 双平行强度调制器结构 | 第35-37页 |
3.2 单端信号DPMZM抑制调制失真的基本理论 | 第37-41页 |
3.2.1 单音调制的谐波失真抑制 | 第37-40页 |
3.2.2 双音交调失真抑制 | 第40-41页 |
3.3 单端信号DPMZM抑制交调失真的仿真 | 第41-43页 |
3.4 单端信号DPMZM抑制交调失真的实验 | 第43-46页 |
3.5 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 基于双端信号DPMZM的抑制交调失真研究及下变频 | 第47-65页 |
4.1 理论分析 | 第47-48页 |
4.2 双端信号DPMZM抑制交调失真的仿真 | 第48-50页 |
4.3 双端信号DPMZM抑制交调失真的实验 | 第50-55页 |
4.4 基于DPMZM的全光下变频 | 第55-64页 |
4.4.1 基于DPMZM的下变频系统结构及原理 | 第56-57页 |
4.4.2 基于DPMZM的下变频仿真 | 第57-59页 |
4.4.3 基于DPMZM的下变频实验 | 第59-64页 |
4.4.3.1 不同频率RF输入产生同一频率的IF信号 | 第59-62页 |
4.4.3.2 IF功率随DPMZM偏置电压的变化 | 第62-64页 |
4.5 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 总结及展望 | 第65-67页 |
5.1 论文总结 | 第65-66页 |
5.2 下一步展望 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-73页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |