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电光强度调制器的调制失真及抑制方法研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 电光调制器调制失真抑制的研究进展第12-18页
        1.2.1 国内外的研究动态第12-18页
            1.2.1.1 电路预失真及电路前馈第12-13页
            1.2.1.2 电光预失真及前馈第13-15页
            1.2.1.3 混合偏振控制法第15页
            1.2.1.4 平衡探测法第15-16页
            1.2.1.5 调制器级联与并联第16-17页
            1.2.1.6 微环辅助第17-18页
        1.2.2 应用趋势第18页
    1.3 本论文的主要工作及安排第18-20页
        1.3.1 本论文的主要工作第18页
        1.3.2 本论文的结构安排第18-20页
第二章 铌酸锂电光强度调制器的基本原理及调制失真分析第20-35页
    2.1 铌酸锂晶体的物理基础第20-22页
    2.2 M-Z型电光强度调制器第22-25页
        2.2.1 铌酸锂晶体的相位调制第22-23页
        2.2.2 M-Z型强度调制器的结构及原理第23-25页
    2.3 M-Z强度调制器调制失真分析第25-34页
        2.3.1 调制失真的理论分析第25-29页
        2.3.2 交调失真第29-31页
        2.3.3 M-Z电光强度调制器的交调失真第31-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第三章 基于单端信号DPMZM的抑制交调失真研究第35-47页
    3.1 双平行强度调制器结构第35-37页
    3.2 单端信号DPMZM抑制调制失真的基本理论第37-41页
        3.2.1 单音调制的谐波失真抑制第37-40页
        3.2.2 双音交调失真抑制第40-41页
    3.3 单端信号DPMZM抑制交调失真的仿真第41-43页
    3.4 单端信号DPMZM抑制交调失真的实验第43-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第四章 基于双端信号DPMZM的抑制交调失真研究及下变频第47-65页
    4.1 理论分析第47-48页
    4.2 双端信号DPMZM抑制交调失真的仿真第48-50页
    4.3 双端信号DPMZM抑制交调失真的实验第50-55页
    4.4 基于DPMZM的全光下变频第55-64页
        4.4.1 基于DPMZM的下变频系统结构及原理第56-57页
        4.4.2 基于DPMZM的下变频仿真第57-59页
        4.4.3 基于DPMZM的下变频实验第59-64页
            4.4.3.1 不同频率RF输入产生同一频率的IF信号第59-62页
            4.4.3.2 IF功率随DPMZM偏置电压的变化第62-64页
    4.5 本章小结第64-65页
第五章 总结及展望第65-67页
    5.1 论文总结第65-66页
    5.2 下一步展望第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-73页
攻硕期间取得的研究成果第73-74页

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