| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 红外波简介 | 第10-11页 |
| 1.2 短波红外（SWIR）技术 | 第11-13页 |
| 1.3 红外探测器焦平面阵列（FPA） | 第13-14页 |
| 1.4 铟镓砷焦平面阵列的研究进展和趋势 | 第14-15页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 探测器原理和理论模型 | 第19-36页 |
| 2.1 In Ga As探测器的探测原理 | 第19-20页 |
| 2.2 平面结构和台面结构 | 第20-23页 |
| 2.3 In Ga As焦平面阵列的基本性能参数 | 第23-28页 |
| 2.4 计算理论模型 | 第28-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 In Ga As探测器光电性能模拟 | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 暗电流模拟 | 第36-39页 |
| 3.3 量子效率 | 第39-44页 |
| 3.4 能带结构模拟 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 In Ga As焦平面阵列的串音性能研究 | 第48-68页 |
| 4.1 引言 | 第48-52页 |
| 4.2 电串音的定义 | 第52-53页 |
| 4.3 不同结构下In Ga As焦平面阵列电串音的比较 | 第53-57页 |
| 4.4 不同波长下In Ga As焦平面阵列电串音的比较 | 第57-58页 |
| 4.5 不同入射方向下In Ga As焦平面阵列电串音的比较 | 第58-60页 |
| 4.6 台面结构In Ga As焦平面阵列电串音随刻蚀深度的变化 | 第60-62页 |
| 4.7 In Ga As焦平面阵列电串音随吸收光强的变化 | 第62-64页 |
| 4.8 本章小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 实验模拟及结果对比 | 第68-76页 |
| 5.1 Vis-SWIR In Ga As探测器的量子效率模拟 | 第68-71页 |
| 5.2 串音实验一模拟 | 第71-72页 |
| 5.3 串音实验二模拟 | 第72-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 6.1 本文总结 | 第76-77页 |
| 6.2 本文创新点 | 第77-78页 |
| 6.3 展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读硕士学位期间已录用的论文和获得的奖励 | 第82-84页 |
