| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 半导体激光器的发展状况 | 第10-13页 |
| 1.1.1 激光器的发展史 | 第10页 |
| 1.1.2 大功率半导体激光器件最新进展 | 第10-12页 |
| 1.1.3 大功率激光器的应用 | 第12-13页 |
| 1.2 940nm 半导体激光器技术优势与发展 | 第13-15页 |
| 1.2.1 940nm 半导体激光器的优势 | 第13-14页 |
| 1.2.2 掺 Yb 光纤激光器的优势和发展 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文的研究工作 | 第15-16页 |
| 第2章 MOCVD 外延技术概述及 III-V 族半导体材料外延 | 第16-32页 |
| 2.1 MOCVD 外延技术 | 第16-18页 |
| 2.2 MOCVD 生长系统 | 第18-23页 |
| 2.2.1 MOCVD 气体输运分系统 | 第19-20页 |
| 2.2.2 MOCVD 生长反应室分系统 | 第20-21页 |
| 2.2.3 MOCVD 尾气处理分系统 | 第21-22页 |
| 2.2.4 MOCVD 外延层生长原位监测 | 第22-23页 |
| 2.3 主要测试技术 | 第23-26页 |
| 2.3.1 PL 谱 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电化学 C-V 测试方法 | 第24-26页 |
| 2.4 III-V 族半导体材料的 MOCVD 生长 | 第26-31页 |
| 2.4.1 GaAs 材料的 MOCVD 外延生长 | 第27-28页 |
| 2.4.2 AlGaAs 的 MOCVD 生长 | 第28-29页 |
| 2.4.3 GaAsP 的 MOCVD 生长 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 有源区的理论研究和材料生长 | 第32-41页 |
| 3.1 InGaAs 量子阱的研究 | 第32-36页 |
| 3.1.1 InGaAs 量子阱能带理论计算 | 第32-35页 |
| 3.1.2 InGaAs 的 MOCVD 生长研究 | 第35-36页 |
| 3.2 InGaAs / GaAsP 应变补偿量子阱的生长研究 | 第36-40页 |
| 3.2.1 研究方法 | 第37-38页 |
| 3.2.2 实验结果及分析 | 第38-40页 |
| 3.2.3 本节结论 | 第40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 非对称超大光腔波导结构设计 | 第41-51页 |
| 4.1 半导体激光器的光波导模拟 | 第41-46页 |
| 4.1.1 基本方程 | 第41-42页 |
| 4.1.2 波导模型 | 第42-43页 |
| 4.1.3 传输矩阵法 | 第43-45页 |
| 4.1.4 近场和远场分布 | 第45-46页 |
| 4.2 非对称波导结构设计 | 第46-49页 |
| 4.3 测试结果 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 激光器芯片制备与测试 | 第51-57页 |
| 5.1 衬底和缓冲层 | 第51-52页 |
| 5.2 有源区的生长 | 第52-53页 |
| 5.2.1 有源区的外延 | 第52页 |
| 5.2.2 有源区的测试结果 | 第52-53页 |
| 5.3 掺杂结果 | 第53页 |
| 5.4 激光器外延参数汇总 | 第53-54页 |
| 5.5 激光器芯片制作与测试 | 第54-56页 |
| 5.5.1 激光器的工艺流程 | 第54页 |
| 5.5.2 激光器芯片测试 | 第54-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
