| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 MS软件CASTEP模块计算原理 | 第8-11页 |
| 1.2.1 第一性计算原理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 平面波赝势计算法 | 第11页 |
| 1.3 PECVD技术的原理及特点 | 第11-12页 |
| 1.4 PECVD在光学薄膜中的应用 | 第12-14页 |
| 1.5 渐变折射率薄膜和SiO_xN_y材料的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.6 本文研究的主要内容和章节安排 | 第17-18页 |
| 2 研究方案 | 第18-31页 |
| 2.1 研究方案及技术路线 | 第18-19页 |
| 2.2 可行性分析 | 第19-23页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.2.2 测试设备 | 第20-23页 |
| 2.3 可行性实验 | 第23-30页 |
| 2.3.1 MS软件模拟计算Si_3N_4的光学特性 | 第23-26页 |
| 2.3.2 MS软件模拟计算SiO_xN_y的光学特性 | 第26-29页 |
| 2.3.3 PECVD工艺稳定性实验 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 SiO_xN_y薄膜x,y变化与折射率之间的规律研究 | 第31-40页 |
| 3.1 SiO_xN_y薄膜x,y变化与折射率之间规律的仿真实验 | 第31-35页 |
| 3.2 SiO_xN_y薄膜x,y变化与折射率之间规律的工艺实验验证 | 第35-39页 |
| 3.2.1 工艺实验验证 | 第35-36页 |
| 3.2.2 实验验证分析 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 SiO_xN_y渐变折射率薄膜的界面特性研究 | 第40-49页 |
| 4.1 技术路线 | 第40页 |
| 4.2 Δn的确定 | 第40-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 非线性SiO_xN_y渐变折射率薄膜制造工艺探索 | 第49-58页 |
| 5.1 非线性SiO_xN_y渐变折射率薄膜设计 | 第49-53页 |
| 5.2 非线性SiO_xN_y渐变折射率薄膜制造工艺 | 第53-57页 |
| 5.2.1 梯度法制造多层SiO_xN_y薄膜与分析 | 第53-55页 |
| 5.2.2 坡度法制造非线性SiO_xN_y薄膜与分析 | 第55-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 结论及展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-67页 |
