| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 二维过渡金属硫族化合物概述 | 第10-11页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物的制备与表征 | 第11-15页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫族化合物的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫族化合物的表征方法 | 第13-15页 |
| 1.3 二维过渡金属硫族化合物电学器件的制备 | 第15-21页 |
| 1.3.1 光刻技术 | 第15-18页 |
| 1.3.2 电子束曝光技术（EBL） | 第18-19页 |
| 1.3.3 金属化工艺 | 第19页 |
| 1.3.4 刻蚀工艺 | 第19-20页 |
| 1.3.5 引线键合工艺 | 第20-21页 |
| 1.4 二维过渡金属硫族化合物的电学性质及其应用 | 第21-30页 |
| 1.4.1 二维半导体材料的电学性质 | 第21-23页 |
| 1.4.2 二维过渡金属硫族化合物在场效应晶体管中的应用 | 第23-26页 |
| 1.4.3 二维电荷密度波材料的电学性质 | 第26-28页 |
| 1.4.4 二维电荷密度波材料在振荡器中的应用 | 第28-30页 |
| 1.5 本文选题思路和研究内容 | 第30-34页 |
| 1.5.1 本文的选题思路 | 第30-31页 |
| 1.5.2 本文的研究内容 | 第31-34页 |
| 2 二维过渡金属硫族化合物合金材料的电学性质研究 | 第34-52页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 二维过渡金属硫族化合物合金材料的制备与表征 | 第34-44页 |
| 2.2.1 PVD生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)与样品表征 | 第34-36页 |
| 2.2.2 机械剥离制备Mo_((1-x))W_xSe_2, Mo_((1-x))W_xS_2与样品表征 | 第36-39页 |
| 2.2.3 利用MREI模型的合金组分表征 | 第39-44页 |
| 2.3 二维过渡金属硫族化合物合金材料场效应晶体管制备 | 第44-45页 |
| 2.3.1 PVD生长样品的场效应晶体管制备 | 第44页 |
| 2.3.2 机械剥离样品的场效应晶体管制备 | 第44-45页 |
| 2.4 MoS_(2(1-x))Se_(2x) , Mo(1–x)WxSe2场效应晶体管电学性质分析 | 第45-51页 |
| 2.4.1 组分对MoS_(2(1-x))Se_(2x)场效应晶体管电学性质的影响 | 第45-48页 |
| 2.4.2 温度对MoS_(2(1-x))Se_(2x)场效应晶体管电学性质的影响 | 第48-49页 |
| 2.4.3 组分对Mo_((1-x))W_xSe_2场效应晶体管电学性质的影响 | 第49-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 3 二维ZrS_2电学性质研究 | 第52-70页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 二维ZrS_2在氮化硼基底上的制备与表征 | 第52-56页 |
| 3.3 二维ZrS_2场效应晶体管制备 | 第56-60页 |
| 3.3.1 二维ZrS_2在电子束辐照下的不稳定性 | 第56-57页 |
| 3.3.2 紫外光刻技术制备二维ZrS_2器件 | 第57-58页 |
| 3.3.3 电子束曝光技术与湿法刻蚀制备二维ZrS_2器件 | 第58-60页 |
| 3.4 二维ZrS_2场效应晶体管电学测量与分析 | 第60-67页 |
| 3.4.1 二维ZrS_2场效应晶体管的电学测量 | 第60-61页 |
| 3.4.2 厚度对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响 | 第61-65页 |
| 3.4.3 温度对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响 | 第65-66页 |
| 3.4.4 氮化硼基底对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响 | 第66-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-70页 |
| 4 基于二维TaS_2的振荡器件研究 | 第70-92页 |
| 4.1 引言 | 第70页 |
| 4.2 二维TaS_2的制备与表征 | 第70-71页 |
| 4.3 二维TaS_2器件制备 | 第71-76页 |
| 4.3.1 二维TaS_2的不稳定性 | 第71-72页 |
| 4.3.2 二维TaS_2常规沟道器件制备 | 第72-74页 |
| 4.3.3 二维TaS_2窄沟道（~30 nm）器件制备 | 第74-76页 |
| 4.4 二维TaS_2的电学性质 | 第76-81页 |
| 4.4.1 温度激发的二维TaS_2相变 | 第76-77页 |
| 4.4.2 电场激发的二维TaS_2相变 | 第77-79页 |
| 4.4.3 器件的沟道长度对二维TaS_2相变的影响 | 第79-81页 |
| 4.5 基于二维TaS_2的振荡器 | 第81-90页 |
| 4.5.1 基于二维TaS_2振荡器的制备和测试 | 第81-83页 |
| 4.5.2 二维TaS_2振荡器的电学性质 | 第83-90页 |
| 4.5.3 提高二维TaS_2振荡器频率的解决方案 | 第90页 |
| 4.6 本章小结 | 第90-92页 |
| 5 总结与展望 | 第92-94页 |
| 5.1 本文的主要结论 | 第92页 |
| 5.2 本文的主要创新点 | 第92-93页 |
| 5.3 后续研究工作的展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-116页 |
| 附录 | 第116-117页 |
| A. 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第116页 |
| B. 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第116-117页 |
| C. 攻读博士学位期间获得的奖励 | 第117页 |
