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二维过渡金属硫族化合物电学性质研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
1 绪论第10-34页
    1.1 二维过渡金属硫族化合物概述第10-11页
    1.2 二维过渡金属硫族化合物的制备与表征第11-15页
        1.2.1 二维过渡金属硫族化合物的制备方法第11-13页
        1.2.2 二维过渡金属硫族化合物的表征方法第13-15页
    1.3 二维过渡金属硫族化合物电学器件的制备第15-21页
        1.3.1 光刻技术第15-18页
        1.3.2 电子束曝光技术(EBL)第18-19页
        1.3.3 金属化工艺第19页
        1.3.4 刻蚀工艺第19-20页
        1.3.5 引线键合工艺第20-21页
    1.4 二维过渡金属硫族化合物的电学性质及其应用第21-30页
        1.4.1 二维半导体材料的电学性质第21-23页
        1.4.2 二维过渡金属硫族化合物在场效应晶体管中的应用第23-26页
        1.4.3 二维电荷密度波材料的电学性质第26-28页
        1.4.4 二维电荷密度波材料在振荡器中的应用第28-30页
    1.5 本文选题思路和研究内容第30-34页
        1.5.1 本文的选题思路第30-31页
        1.5.2 本文的研究内容第31-34页
2 二维过渡金属硫族化合物合金材料的电学性质研究第34-52页
    2.1 引言第34页
    2.2 二维过渡金属硫族化合物合金材料的制备与表征第34-44页
        2.2.1 PVD生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)与样品表征第34-36页
        2.2.2 机械剥离制备Mo_((1-x))W_xSe_2, Mo_((1-x))W_xS_2与样品表征第36-39页
        2.2.3 利用MREI模型的合金组分表征第39-44页
    2.3 二维过渡金属硫族化合物合金材料场效应晶体管制备第44-45页
        2.3.1 PVD生长样品的场效应晶体管制备第44页
        2.3.2 机械剥离样品的场效应晶体管制备第44-45页
    2.4 MoS_(2(1-x))Se_(2x) , Mo(1–x)WxSe2场效应晶体管电学性质分析第45-51页
        2.4.1 组分对MoS_(2(1-x))Se_(2x)场效应晶体管电学性质的影响第45-48页
        2.4.2 温度对MoS_(2(1-x))Se_(2x)场效应晶体管电学性质的影响第48-49页
        2.4.3 组分对Mo_((1-x))W_xSe_2场效应晶体管电学性质的影响第49-51页
    2.5 本章小结第51-52页
3 二维ZrS_2电学性质研究第52-70页
    3.1 引言第52页
    3.2 二维ZrS_2在氮化硼基底上的制备与表征第52-56页
    3.3 二维ZrS_2场效应晶体管制备第56-60页
        3.3.1 二维ZrS_2在电子束辐照下的不稳定性第56-57页
        3.3.2 紫外光刻技术制备二维ZrS_2器件第57-58页
        3.3.3 电子束曝光技术与湿法刻蚀制备二维ZrS_2器件第58-60页
    3.4 二维ZrS_2场效应晶体管电学测量与分析第60-67页
        3.4.1 二维ZrS_2场效应晶体管的电学测量第60-61页
        3.4.2 厚度对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响第61-65页
        3.4.3 温度对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响第65-66页
        3.4.4 氮化硼基底对二维ZrS_2场效应晶体管电学性质的影响第66-67页
    3.5 本章小结第67-70页
4 基于二维TaS_2的振荡器件研究第70-92页
    4.1 引言第70页
    4.2 二维TaS_2的制备与表征第70-71页
    4.3 二维TaS_2器件制备第71-76页
        4.3.1 二维TaS_2的不稳定性第71-72页
        4.3.2 二维TaS_2常规沟道器件制备第72-74页
        4.3.3 二维TaS_2窄沟道(~30 nm)器件制备第74-76页
    4.4 二维TaS_2的电学性质第76-81页
        4.4.1 温度激发的二维TaS_2相变第76-77页
        4.4.2 电场激发的二维TaS_2相变第77-79页
        4.4.3 器件的沟道长度对二维TaS_2相变的影响第79-81页
    4.5 基于二维TaS_2的振荡器第81-90页
        4.5.1 基于二维TaS_2振荡器的制备和测试第81-83页
        4.5.2 二维TaS_2振荡器的电学性质第83-90页
        4.5.3 提高二维TaS_2振荡器频率的解决方案第90页
    4.6 本章小结第90-92页
5 总结与展望第92-94页
    5.1 本文的主要结论第92页
    5.2 本文的主要创新点第92-93页
    5.3 后续研究工作的展望第93-94页
致谢第94-96页
参考文献第96-116页
附录第116-117页
    A. 攻读博士学位期间发表的论文目录第116页
    B. 攻读博士学位期间参加的科研项目第116-117页
    C. 攻读博士学位期间获得的奖励第117页

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