扩展电阻的测量方法和外延工艺优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 论文背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文组织 | 第14页 |
| 1.4 设计指标 | 第14页 |
| 1.5 小结 | 第14-15页 |
| 第二章 SRP的工作原理以及外延综述 | 第15-25页 |
| 2.1 扩展电阻的原理 | 第15-17页 |
| 2.2 扩展电阻的结构 | 第17-18页 |
| 2.3 外延片的应用 | 第18-21页 |
| 2.3.1 外延的生长 | 第18-19页 |
| 2.3.2 外延的应用 | 第19-20页 |
| 2.3.3 外延的电阻率均匀性的重要作用 | 第20-21页 |
| 2.4 扩展电阻测试外延片 | 第21-22页 |
| 2.5 扩展电阻结构参数 | 第22页 |
| 2.6 小结 | 第22-25页 |
| 第三章 扩展电阻技术的准确性和稳定性研究 | 第25-39页 |
| 3.1 扩展电阻技术在测试中出现的问题 | 第25-29页 |
| 3.1.1 探针的不一致性 | 第25-26页 |
| 3.1.2 测试制作的校验片不一致 | 第26-28页 |
| 3.1.3 样品制备不一致 | 第28-29页 |
| 3.2 扩展电阻技术测量方法的改进 | 第29-34页 |
| 3.2.1 校准和磨针 | 第29-32页 |
| 3.2.2 增加校准样片的频次 | 第32页 |
| 3.2.3 制备样品一致性 | 第32-34页 |
| 3.3 过渡区一致性 | 第34-35页 |
| 3.4 扩展电阻仪器的维护 | 第35页 |
| 3.5 测试以及数据处理的一些技巧 | 第35-36页 |
| 3.6 实验小结 | 第36-39页 |
| 第四章 外延工艺的优化 | 第39-53页 |
| 4.1 硅外延生产工艺出现的问题 | 第39-46页 |
| 4.1.1 过渡区宽度不满足要求 | 第39-40页 |
| 4.1.2 外延工艺 | 第40-41页 |
| 4.1.3 加0.4um的纯度 | 第41-46页 |
| 4.2 过渡区工艺优化 | 第46-48页 |
| 4.2.1 调整工艺后过渡区仍旧不满足条件 | 第46-47页 |
| 4.2.2 背封技术 | 第47-48页 |
| 4.2.3 加纯度0.2um | 第48页 |
| 4.3 边缘工艺优化 | 第48-51页 |
| 4.3.1 边缘自掺杂严重 | 第48-49页 |
| 4.3.2 边缘自掺杂原因 | 第49-50页 |
| 4.3.3 改变边缘自掺杂 | 第50-51页 |
| 4.4 高温烘烤法 | 第51-52页 |
| 4.5 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
