| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 量子点及其研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 量子点的概念 | 第10-11页 |
| 1.2.2 量子点的研究进程及现状 | 第11页 |
| 1.2.3 量子点的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.3 基于量子点的白光LED的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 基于量子点的LED的阳极界面修饰研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 研究内容与创新点 | 第14-16页 |
| 第2章 白光LED结构、工作原理及性能参数 | 第16-21页 |
| 2.1 量子点LED的基本结构与发光原理 | 第16页 |
| 2.2 基于量子点的白光LED器件的性能指标 | 第16-21页 |
| 2.2.1 量子点LED的效率 | 第16-17页 |
| 2.2.2 量子点LED的光参数 | 第17-18页 |
| 2.2.3 量子点LED的色度参数 | 第18-21页 |
| 第3章 基于CdZnS/ZnSe量子点高显色指数白光LED研究 | 第21-35页 |
| 3.1 引言 | 第21-22页 |
| 3.2 实验部分 | 第22-24页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第22-23页 |
| 3.2.2 CdZnS核的合成 | 第23页 |
| 3.2.3 CdZnS/ZnSe核/壳量子点的合成 | 第23-24页 |
| 3.2.4 制作基于CdZnS/ZnSe核/壳量子点的白光LED | 第24页 |
| 3.3 性能测试与表征方法 | 第24-25页 |
| 3.4 结果与分析 | 第25-34页 |
| 3.4.1 CdZnS/ZnSe核/壳量子点光学性质 | 第25-27页 |
| 3.4.2 CdZnS/ZnSe核/壳量子点结构表征 | 第27-31页 |
| 3.4.3 基于CdZnS/ZnSe量子点的W-QLED的性能 | 第31-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 量子点白光发光二极管高S/P值的研究 | 第35-48页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 实验部分 | 第36-37页 |
| 4.2.1 实验用化学药品 | 第36页 |
| 4.2.2 CdxZn1-xS核的合成 | 第36页 |
| 4.2.3 CdxZn1-xS/ZnS核/壳量子点的合成 | 第36页 |
| 4.2.4 CdxZn1-xS/ZnSe核/壳量子点的合成 | 第36-37页 |
| 4.2.5 W-QLED的制备 | 第37页 |
| 4.3 性能测试与表征方法 | 第37页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 4.4.1 CdxZn1-xS/ZnS和CdxZn1-xS/ZnSe核/壳量子点表征 | 第38-40页 |
| 4.4.2 量子点结构表征 | 第40-41页 |
| 4.4.3 基于Cd0.1Zn0.9S/ZnSe量子点的W-QLED的性能 | 第41-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 ITO界面修饰对量子点发光二极管性能影响研究 | 第48-58页 |
| 5.1 引言 | 第48-49页 |
| 5.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 5.2.1 ITO玻璃的清洗 | 第49页 |
| 5.2.2 药品的准备 | 第49页 |
| 5.2.3 ITO表面的修饰 | 第49-50页 |
| 5.2.4 量子点发光二极管的制备 | 第50页 |
| 5.3 性能测试与表征方法 | 第50页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 5.4.1 溶剂法:溶剂掺杂比例的优化 | 第51-53页 |
| 5.4.2 UV光照法:UV光照时间的优化 | 第53-55页 |
| 5.4.3 UV光照溶液法:UV光照时间的优化 | 第55-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 总结 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读研究生期间所发表的论文及受理的专利 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
