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基于石墨烯和硅烯纳米带电荷与自旋输运理论研究

摘要第10-13页
ABSTRACT第13-17页
第一章 绪论第18-36页
    1.1 引言第18-19页
    1.2 分子器件的实验与理论研究第19-23页
    1.3 分子器件的传输特性第23-26页
        1.3.1 分子整流器第23-24页
        1.3.2 负微分电阻效应第24-25页
        1.3.3 自旋过滤效应第25页
        1.3.4 巨磁电阻效应第25-26页
    1.4 石墨烯及其纳米带的结构与性质第26-28页
    1.5 硅烯及其纳米带的结构与性质第28-29页
    1.6 本文研究内容及意义第29-30页
    参考文献第30-36页
第二章 理论计算方法第36-50页
    2.1 密度泛函理论第36-41页
        2.1.1 Born-Oppenheimer近似第36-37页
        2.1.2 Hohenberg-Koh定理第37-38页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第38-39页
        2.1.4 交换关联函数第39-41页
    2.2 量子输运理论第41-48页
        2.2.1 Landauer理论第41-42页
        2.2.2 量子输运中的非平衡格林函数方法第42-46页
        2.2.3 密度泛函理论与非平衡格林函数的自洽迭代第46-48页
    参考文献第48-50页
第三章 低并苯分子连接石墨烯纳米带电极的自旋输运性质第50-68页
    3.1 引言第50-52页
    3.2 模型和理论方法第52-53页
    3.3 计算结果和分析第53-62页
        3.3.1 巨磁电阻效应第53-57页
        3.3.2 双向自旋过滤效应和双向自旋整流效应第57-61页
        3.3.3 负微分电阻效应第61-62页
    3.4 本章小结第62页
    参考文献第62-68页
第四章 边缘去氢效应对线缺陷锯齿形石墨烯纳米带磁性和自旋输运性质的影响第68-84页
    4.1 引言第68-69页
    4.2 计算方法第69-70页
    4.3 计算结果与讨论第70-80页
        4.3.1 558线缺陷ZGNRs和57线缺陷ZGNRs的磁性第70-78页
        4.3.2 558线缺陷ZGNRs的自旋输运性质第78-80页
    4.4 本章小结第80页
    参考文献第80-84页
第五章 边缘氢化氧化的锯齿形硅烯纳米带的电荷输运性质第84-100页
    5.1 引言第84-86页
    5.2 计算模型和方法第86-87页
    5.3 计算结果与讨论第87-96页
        5.3.1 X-ZSiNRs-X(X=H,OH,O,H_2)体系第87-94页
        5.3.2 X-ZSiNR-H(X=OH,O,H_2)体系第94-96页
    5.4 本章小结第96-97页
    参考文献第97-100页
第六章 总结与展望第100-104页
    6.1 本文工作总结第100-101页
    6.2 工作展望第101-104页
攻读博士学位期间完成的论文目录第104-106页
致谢第106-108页
附录: 英文论文第108-149页
学位论文评阅及答辩情况表第149页

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