摘要 | 第10-13页 |
ABSTRACT | 第13-17页 |
第一章 绪论 | 第18-36页 |
1.1 引言 | 第18-19页 |
1.2 分子器件的实验与理论研究 | 第19-23页 |
1.3 分子器件的传输特性 | 第23-26页 |
1.3.1 分子整流器 | 第23-24页 |
1.3.2 负微分电阻效应 | 第24-25页 |
1.3.3 自旋过滤效应 | 第25页 |
1.3.4 巨磁电阻效应 | 第25-26页 |
1.4 石墨烯及其纳米带的结构与性质 | 第26-28页 |
1.5 硅烯及其纳米带的结构与性质 | 第28-29页 |
1.6 本文研究内容及意义 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-36页 |
第二章 理论计算方法 | 第36-50页 |
2.1 密度泛函理论 | 第36-41页 |
2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第36-37页 |
2.1.2 Hohenberg-Koh定理 | 第37-38页 |
2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第38-39页 |
2.1.4 交换关联函数 | 第39-41页 |
2.2 量子输运理论 | 第41-48页 |
2.2.1 Landauer理论 | 第41-42页 |
2.2.2 量子输运中的非平衡格林函数方法 | 第42-46页 |
2.2.3 密度泛函理论与非平衡格林函数的自洽迭代 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-50页 |
第三章 低并苯分子连接石墨烯纳米带电极的自旋输运性质 | 第50-68页 |
3.1 引言 | 第50-52页 |
3.2 模型和理论方法 | 第52-53页 |
3.3 计算结果和分析 | 第53-62页 |
3.3.1 巨磁电阻效应 | 第53-57页 |
3.3.2 双向自旋过滤效应和双向自旋整流效应 | 第57-61页 |
3.3.3 负微分电阻效应 | 第61-62页 |
3.4 本章小结 | 第62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
第四章 边缘去氢效应对线缺陷锯齿形石墨烯纳米带磁性和自旋输运性质的影响 | 第68-84页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 计算方法 | 第69-70页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第70-80页 |
4.3.1 558线缺陷ZGNRs和57线缺陷ZGNRs的磁性 | 第70-78页 |
4.3.2 558线缺陷ZGNRs的自旋输运性质 | 第78-80页 |
4.4 本章小结 | 第80页 |
参考文献 | 第80-84页 |
第五章 边缘氢化氧化的锯齿形硅烯纳米带的电荷输运性质 | 第84-100页 |
5.1 引言 | 第84-86页 |
5.2 计算模型和方法 | 第86-87页 |
5.3 计算结果与讨论 | 第87-96页 |
5.3.1 X-ZSiNRs-X(X=H,OH,O,H_2)体系 | 第87-94页 |
5.3.2 X-ZSiNR-H(X=OH,O,H_2)体系 | 第94-96页 |
5.4 本章小结 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-100页 |
第六章 总结与展望 | 第100-104页 |
6.1 本文工作总结 | 第100-101页 |
6.2 工作展望 | 第101-104页 |
攻读博士学位期间完成的论文目录 | 第104-106页 |
致谢 | 第106-108页 |
附录: 英文论文 | 第108-149页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第149页 |