| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池简介 | 第12-17页 |
| 1.2.1 太阳能电池的分类 | 第12页 |
| 1.2.2 钙钛矿太阳能电池的基本结构 | 第12-14页 |
| 1.2.3 太阳能电池工作原理 | 第14页 |
| 1.2.4 钙钛矿太阳能电池的国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 电子结构 | 第17-19页 |
| 1.3.1 能带理论 | 第17页 |
| 1.3.2 电子态密度(Density of States,DOS) | 第17-18页 |
| 1.3.3 Bader电荷 | 第18页 |
| 1.3.4 差分电荷 | 第18-19页 |
| 1.3.5 太阳能电池表面电子态 | 第19页 |
| 1.4 材料的光学性质 | 第19-21页 |
| 1.4.1 发光光谱和辐射复合 | 第20页 |
| 1.4.2 半导体的光电导效应 | 第20-21页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第22-33页 |
| 2.1 第一性原理概述 | 第22页 |
| 2.2 波函数 | 第22-23页 |
| 2.3 薛定谔方程 | 第23-24页 |
| 2.4 密度泛函理论(DFT) | 第24-28页 |
| 2.4.1 绝热(Born-Oppenheimer)近似 | 第24-25页 |
| 2.4.2 单电子(Hartree-Fock)近似 | 第25-26页 |
| 2.4.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.4.4 Kohn-Sham方程 | 第26-28页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第28-29页 |
| 2.5.1 局域密度近似(LDA) | 第28页 |
| 2.5.2 广义梯度近似(GGA) | 第28-29页 |
| 2.6 计算方法 | 第29-31页 |
| 2.6.1 数值收敛 | 第29页 |
| 2.6.2 截断能 | 第29-30页 |
| 2.6.3 赝势 | 第30页 |
| 2.6.4 克拉默斯-克勒尼希(K-K)色散关系 | 第30-31页 |
| 2.7 计算软件介绍 | 第31-33页 |
| 2.7.1 Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP) | 第31-32页 |
| 2.7.2 Materials Studio6. | 第32-33页 |
| 第3章 SnO_2/MAPbI_3 界面的晶格结构和光电性质研究 | 第33-49页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33-34页 |
| 3.3 体相模型及其电学性质 | 第34-36页 |
| 3.3.1 MAPbI_3 体相的晶格结构和电学性质 | 第34-35页 |
| 3.3.2 SnO_2 体相的晶格结构和电学性质 | 第35-36页 |
| 3.4 MAPbI_3 表面模型的构建及其电学性质 | 第36-38页 |
| 3.4.1 MAPbI_3 表面模型的构建 | 第36-37页 |
| 3.4.2 MAPbI_3 表面的电学性质 | 第37-38页 |
| 3.5 SnO_2 表面模型的构建及其电学性质 | 第38-40页 |
| 3.5.1 SnO_2 表面模型的构建 | 第38-40页 |
| 3.5.2 SnO_2 表面的电子性质 | 第40页 |
| 3.6 SnO_2(110)/MAPbI_3(100)界面模型的构建 | 第40-42页 |
| 3.7 SnO_2(110)/MAPbI_3(100)界面的电学性质 | 第42-46页 |
| 3.7.1 界面稳定性 | 第42页 |
| 3.7.2 界面的电学性质 | 第42-46页 |
| 3.8 SnO_2(110)/MAPbI_3(100)界面的光学性质 | 第46-49页 |
| 结论与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第60页 |
