| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 量子计算 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体门控量子点体系 | 第14-17页 |
| 1.3 新型半导体材料 | 第17-22页 |
| 1.3.1 锗硅核壳型纳米线 | 第17-18页 |
| 1.3.2 锗硅自组织纳米晶 | 第18-20页 |
| 1.3.3 锗硅自组织纳米线 | 第20-22页 |
| 1.4 量子电动力学 | 第22页 |
| 1.4.1 腔量子电动力学 | 第22页 |
| 1.4.2 电路量子电动力学 | 第22页 |
| 1.5 量子点和微波谐振腔的强耦合 | 第22-24页 |
| 1.5.1 电荷和微波谐振腔的强耦合 | 第22-23页 |
| 1.5.2 自旋和微波谐振腔的强耦合 | 第23-24页 |
| 1.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 样品加工和制备 | 第31-47页 |
| 2.1 光刻 | 第31-35页 |
| 2.2 扫描电子显微镜和电子束曝光 | 第35-40页 |
| 2.3 电子束曝光的邻近效应 | 第40-41页 |
| 2.4 湿法刻蚀和等离子体刻蚀 | 第41-43页 |
| 2.5 镀膜 | 第43-45页 |
| 2.6 原子层沉积 | 第45页 |
| 2.7 其他设备 | 第45-46页 |
| 2.8 低温测量平台 | 第46页 |
| 2.9 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 锗硅自组织纳米线空穴型单量子点 | 第47-61页 |
| 3.1 单量子点的结构 | 第47-48页 |
| 3.2 锗硅自组织纳米线单量子点的能级结构 | 第48-49页 |
| 3.3 锗硅自组织纳米线单量子点的制备 | 第49-52页 |
| 3.4 锗硅自组织纳米线单量子点的表征 | 第52-55页 |
| 3.4.1 接触性质 | 第52-53页 |
| 3.4.2 库仑震荡 | 第53-54页 |
| 3.4.3 库仑菱形 | 第54-55页 |
| 3.5 磁场下量子点的能级劈裂 | 第55-56页 |
| 3.6 朗德g因子的提取 | 第56-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 单量子点和超导微波谐振腔的耦合 | 第61-81页 |
| 4.1 量子点和谐振腔的复合结构 | 第61-62页 |
| 4.2 样品的结构和测量系统 | 第62-64页 |
| 4.3 谐振腔的本征参数 | 第64-65页 |
| 4.4 谐振腔对单量子点的读取 | 第65-67页 |
| 4.5 单量子点和谐振腔的耦合模型 | 第67-70页 |
| 4.5.1 复导纳模型以及腔和量子点的复合模型 | 第67页 |
| 4.5.2 频率移动和频率展宽 | 第67-70页 |
| 4.6 空穴和谐振腔的耦合强度 | 第70-74页 |
| 4.6.1 量子点的压缩系数和运动方程理论 | 第70-72页 |
| 4.6.2 基于压缩系数获取空穴和谐振腔的耦合强度 | 第72-73页 |
| 4.6.3 基于耦合电容评估空穴和谐振腔的耦合强度 | 第73-74页 |
| 4.7 评估空穴自旋和谐振腔的耦合强度 | 第74-75页 |
| 4.8 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 第五章 谐振腔测量量子点的复导纳和隧穿率性质 | 第81-93页 |
| 5.1 样品的结构和测量系统 | 第81-82页 |
| 5.2 测量结果 | 第82-84页 |
| 5.3 探测量子点复导纳 | 第84-85页 |
| 5.4 谐振腔信号和微分电导的模型 | 第85-86页 |
| 5.5 探测量子点的隧穿率 | 第86-88页 |
| 5.6 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第六章 双量子点和超导微波谐振腔的耦合 | 第93-106页 |
| 6.1 双量子点 | 第94-95页 |
| 6.2 样品的结构和测量系统 | 第95-96页 |
| 6.3 谐振腔对双量子点的读取 | 第96-98页 |
| 6.4 左点和右点间隧穿对应的谐振腔反应 | 第98-100页 |
| 6.4.1 Tavis-Cummings模型 | 第98-99页 |
| 6.4.2 测量结果 | 第99-100页 |
| 6.4.3 模型的验证 | 第100页 |
| 6.5 量子点和电极间隧穿对应的谐振腔反应 | 第100-102页 |
| 6.5.1 量子点-电极耦合模型 | 第100页 |
| 6.5.2 测量结果和模型验证 | 第100-102页 |
| 6.6 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 第7章 总结和展望 | 第106-116页 |
| 7.1 总结 | 第106-107页 |
| 7.2 展望 | 第107-112页 |
| 7.2.1 量子点体系的优化 | 第107-109页 |
| 7.2.2 腔和量子点复合体系的优化 | 第109-110页 |
| 7.2.3 量子芯片的可扩展 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第118页 |