| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 h-BN的结构与性能 | 第11-13页 |
| 1.3 h-BN的应用前景 | 第13-14页 |
| 1.4 h-BN的制备方法 | 第14-21页 |
| 1.5 论文构架 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-30页 |
| 第二章 生长设备与表征系统 | 第30-39页 |
| 2.1 化学气相沉积生长系统 | 第30-31页 |
| 2.2 表征仪器 | 第31-38页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第32-33页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第33-34页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第34-36页 |
| 2.2.4 共聚焦拉曼光谱 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 常压化学气相沉积法制备六方氮化硼 | 第39-53页 |
| 3.1 APCVD制备h-BN | 第39-41页 |
| 3.2 生长因子对h-BN制备的影响 | 第41-46页 |
| 3.3 高质量单层h-BN薄膜 | 第46-49页 |
| 3.3.1 h-BN的转移 | 第46-48页 |
| 3.3.2 单层h-BN的表征 | 第48-49页 |
| 3.4 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第四章 低压化学气相沉积生长与刻蚀六方氮化硼 | 第53-72页 |
| 4.1 LPCVD制备二维h-BN | 第53-58页 |
| 4.1.1 LPCVD制备h-BN流程 | 第53-54页 |
| 4.1.2 生长因子对低压制备h-BN的影响 | 第54-58页 |
| 4.2 氢气对低压制备二维h-BN晶体的刻蚀作用 | 第58-67页 |
| 4.2.1 H_2低压刻蚀二维h-BN晶体 | 第58-59页 |
| 4.2.2 H_2偏压对h-BN刻蚀的作用机理 | 第59-64页 |
| 4.2.3 h-BN刻蚀的动力学过程 | 第64-66页 |
| 4.2.4 由刻蚀形貌推断复杂结构h-BN的合成过程 | 第66-67页 |
| 4.3 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 附录硕士期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |