| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景以及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 InGaAs探测器的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 InGaAs探测器国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 面入射型光电探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.2 波导型InGaAsPIN光电探测器(WGPD) | 第13页 |
| 1.3.3 谐振腔型光电探测器 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 InGaAs探测器的理论基础与结构设计 | 第15-23页 |
| 2.1 光电探测器的原理 | 第15-16页 |
| 2.2 探测器的表征参数 | 第16-18页 |
| 2.2.1 内量子效率和响应度 | 第16页 |
| 2.2.2 暗电流 | 第16-17页 |
| 2.2.3 电容 | 第17-18页 |
| 2.2.4 探测器的响应速度 | 第18页 |
| 2.3 结构设计与优化 | 第18-22页 |
| 2.3.1 材料的选择 | 第18-19页 |
| 2.3.2 耦合方式的设计 | 第19页 |
| 2.3.3 外延结构设计 | 第19-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 实验设备及测试仪器原理与调试 | 第23-41页 |
| 3.1 外延设备(MOCVD)原理与生长温度校准 | 第23-29页 |
| 3.2 生长温度控制与校验 | 第29-30页 |
| 3.3 外延设备的厚度校准与调试 | 第30-31页 |
| 3.4 外延测试仪器的调试 | 第31-39页 |
| 3.4.1 光致发光光谱仪 | 第31-33页 |
| 3.4.2 电化学C-V | 第33-36页 |
| 3.4.3 X射线双晶衍射仪 | 第36-38页 |
| 3.4.4 霍尔测量 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 材料外延与实验设计 | 第41-55页 |
| 4.1 InGaAs材料的制备工艺 | 第41-43页 |
| 4.2 InP与InGaAs材料P型掺杂的研究 | 第43-51页 |
| 4.2.1 InP掺Zn的研究 | 第44-47页 |
| 4.2.2 InGaAs掺Zn研究 | 第47-51页 |
| 4.3 InGaAsP层的晶体生长 | 第51页 |
| 4.4 InGaAs层生长质量的优化 | 第51-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 器件的外延生长与性能优化 | 第55-61页 |
| 5.1 器件外延生长与测试 | 第55-58页 |
| 5.2 性能参数优化 | 第58-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 研究工作总结 | 第61页 |
| 6.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |