| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 磁记录的发展 | 第8-9页 |
| 1.2 磁存储材料简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 磁记录介质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 高密度磁记录对记录介质材料的要求 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究的目的 | 第12-14页 |
| 2 薄膜的制备及测量 | 第14-28页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第14-18页 |
| 2.1.1 薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 磁控溅射的原理 | 第15-16页 |
| 2.1.3 薄膜的生长过程 | 第16页 |
| 2.1.4 基片的选择与清洗 | 第16-17页 |
| 2.1.5 样品的制备 | 第17-18页 |
| 2.2 FePt薄膜性质表征 | 第18-28页 |
| 2.2.1 薄膜膜厚的测量 | 第18-20页 |
| 2.2.2 薄膜成分的分析 | 第20页 |
| 2.2.3 薄膜表面性质的观察 | 第20-21页 |
| 2.2.4 薄膜晶体结构的分析 | 第21-22页 |
| 2.2.5 薄膜磁学性能的测量 | 第22-28页 |
| 3 FePt/X(X=C,Ta)多层膜的微结构和磁特性研究 | 第28-56页 |
| 3.1 FePt材料概述 | 第28-29页 |
| 3.2 FePt/C多层膜的微结构和磁特性 | 第29-38页 |
| 3.2.1 FePt/C多层膜性能与退火温度的关系 | 第29-33页 |
| 3.2.2 C含量对FePt/C多层膜性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.3 小结 | 第37-38页 |
| 3.3 以Cr为衬底层的FePt/C多层膜样品 | 第38-43页 |
| 3.3.1 Cr[FePt(2.5 nm)/C(1.5 nm)]_(10)C多层膜样品的磁性能 | 第38页 |
| 3.3.2 以Cr为衬底层和以C为衬底层FePt样品的异同 | 第38页 |
| 3.3.3 小结 | 第38-43页 |
| 3.4 FePt/Ta多层膜的微结构和磁特性 | 第43-56页 |
| 3.4.1 FePt/Ta多层膜性能与基底温度的关系 | 第43-47页 |
| 3.4.2 Ta对FePt/Ta多层膜性能影响 | 第47-53页 |
| 3.4.3 FePt/Ta多层膜介质的磁化反转过程 | 第53-54页 |
| 3.4.4 FePt/Ta多层膜的磁畴结构 | 第54页 |
| 3.4.5 FePt的有序度 | 第54-55页 |
| 3.4.6 小结 | 第55-56页 |
| 4 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 后记(致谢) | 第64页 |
