| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 脉冲激光沉积方法 | 第10-12页 |
| 1.2.1 脉冲激光沉积的特点 | 第10页 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积的原理 | 第10-12页 |
| 1.2.3 脉冲激光沉积的参数影响 | 第12页 |
| 1.3 CdS纳米材料 | 第12-13页 |
| 1.3.1 Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的组成和性质 | 第12-13页 |
| 1.3.2 CdS材料的性质和应用 | 第13页 |
| 1.3.3 CdS材料的制备 | 第13页 |
| 1.4 CdTe/CdS太阳能电池 | 第13-14页 |
| 1.5 无机/聚合物复合太阳能电池 | 第14-15页 |
| 第二章 脉冲激光沉积制备CdS纳米线及其表征方法 | 第15-21页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 实验和表征方法 | 第15-18页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第15-16页 |
| 2.2.2 薄膜的表征方法 | 第16-18页 |
| 2.3 CdS纳米线的制备过程 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 实验条件对CdS纳米线生长的影响 | 第21-39页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 衬底温度对CdS纳米薄膜形貌的影响 | 第21-23页 |
| 3.3 催化剂量对CdS纳米薄膜形貌的影响 | 第23-25页 |
| 3.4 激光功率对CdS纳米薄膜形貌的影响 | 第25-27页 |
| 3.5 PLD生长机理的研究 | 第27-30页 |
| 3.5.1 VS的生长机理 | 第27-28页 |
| 3.5.2 VLS的生长机理 | 第28-30页 |
| 3.6 纳米线及薄膜的表征 | 第30-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 CdTe/CdS,P3HT：PCBM/CdS复合结构以及聚合物太阳能电池的制备研究 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 CdTe/CdS纳米复合结构的制备 | 第40-44页 |
| 4.2.1 CdTe/CdS太阳能电池介绍 | 第40-42页 |
| 4.2.2 CdTe/CdS的复合结构的制备和测试 | 第42-44页 |
| 4.3 P3HT：PCBM/CdS复合结构以及聚合物太阳能电池的制备研究 | 第44-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 研究生阶段的研究成果 | 第53-54页 |
