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面向嵌入式CPU的高密度奇存器堆设计技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
英文缩写说明第6-8页
图目录第8-10页
第一章 引言第10-14页
    1.1 寄存器堆研究背景第10-11页
    1.2 寄存器堆设计方法第11-12页
    1.3 本文主要工作与内容安排第12-14页
第二章 基于单端读位线、伪差分放大技术的寄存器堆研究与实现第14-28页
    2.1 TSMC65_64×32_V102设计初衷与总体结构第14-17页
    2.2 关键模块设计与优化第17-24页
        2.2.1 全对称可共享存储单元第17-21页
        2.2.2 伪差分放大结构第21-22页
        2.2.3 高速时序产生与控制第22-24页
    2.3 TSMC65_64×32_V102芯片验证与测试第24-27页
        2.3.1 芯片验证第24-25页
        2.3.2 测试结果与比较第25-27页
    2.4 小结第27-28页
第三章 基于位线分割、动态单位线读出的寄存器堆研究与实现第28-37页
    3.1 SMIC65_32×32_V203总体结构第28-29页
    3.2 关键模块设计第29-32页
        3.2.1 存储单元结构第29-30页
        3.2.2 译码与控制结构第30-31页
        3.2.3 数据读出通路第31-32页
    3.3 SMIC65_32×32_V203芯片验证与测试第32-35页
        3.3.1 芯片验证第32-33页
        3.3.2 测试结果与比较第33-35页
    3.4 小结第35-37页
第四章 基于字线双泵技术的极小面积、低功耗寄存器堆研究与实现第37-51页
    4.1 SMIC65_32×32_V103设计初衷与总体结构第37-39页
    4.2 关键模块设计与优化第39-47页
        4.2.1 高鲁棒性存储单元结构第39-42页
        4.2.2 混合数据输出通路第42-44页
        4.2.3 时序重组与时间借用第44-46页
        4.2.4 其他关键模块第46-47页
    4.3 SMIC65_32×32_ V103芯片验证与测试第47-50页
        4.3.1 芯片验证第47-48页
        4.3.2 测试结果与比较第48-50页
    4.4 小结第50-51页
第五章 寄存器堆测试方案第51-61页
    5.1 测试原理第51-53页
    5.2 测试设备与测试板第53-55页
        5.2.1 测试设备第53页
        5.2.2 PCB测试开发版第53-55页
    5.3 具体测试方法第55-60页
        5.3.1 功能测试第55-58页
        5.3.2 性能测试第58页
        5.3.3 功耗测试第58-60页
    5.4 小结第60-61页
第六章 总结与展望第61-65页
参考文献第65-68页
硕士期间发表的论文和专利第68-69页
致谢第69-70页

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