| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第15页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 NAND Flash 存储数据逻辑销毁方法 | 第17-25页 |
| 2.1 NAND Flash 存储原理与特性 | 第17-20页 |
| 2.1.1 NAND Flash 存储原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 NAND Flash 芯片存储结构及特性 | 第18-20页 |
| 2.2 NAND Flash 存储数据逻辑销毁方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 页覆写与块删除方法 | 第20-22页 |
| 2.2.2 基于密文保护的方法 | 第22-23页 |
| 2.3 NAND Flash 存储数据逻辑销毁标准 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 NAND Flash 存储数据恢复概率模型研究 | 第25-47页 |
| 3.1 NAND Flash 存储数据攻击条件与目标 | 第25-28页 |
| 3.1.1 攻击条件 | 第25-27页 |
| 3.1.2 攻击目标 | 第27-28页 |
| 3.2 基于覆写和跳变总数的 NAND Flash 存储数据恢复概率模型 | 第28-38页 |
| 3.2.1 恢复概率模型形式化定义 | 第28-29页 |
| 3.2.2 跳变次数与恢复概率的关系 | 第29-31页 |
| 3.2.3 攻击时刻与恢复概率的关系 | 第31-38页 |
| 3.2.4 跳变次数和攻击时刻与恢复概率的关系 | 第38页 |
| 3.3 NAND Flash 存储数据恢复概率模型分析 | 第38-46页 |
| 3.3.1 恢复概率的曲线特征 | 第39页 |
| 3.3.2 恢复概率差分析 | 第39-42页 |
| 3.3.3 安全销毁区间分析 | 第42-44页 |
| 3.3.4 覆写序列与覆写次数选取总结 | 第44-45页 |
| 3.3.5 敏感信息序列恢复概率分析 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于密文保护的 NAND Flash 应急逻辑销毁方案设计 | 第47-57页 |
| 4.1 设计思想 | 第47-48页 |
| 4.2 应急逻辑销毁方案 | 第48-54页 |
| 4.2.1 应急逻辑销毁方案结构 | 第48页 |
| 4.2.2 数据加密机制 | 第48-50页 |
| 4.2.3 逻辑销毁算法 | 第50-54页 |
| 4.3 方案分析 | 第54-56页 |
| 4.3.1 时间开销分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 安全性分析 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 具有逻辑销毁功能的 NAND Flash 控制器设计 | 第57-70页 |
| 5.1 具有逻辑销毁功能的 NAND Flash 控制器的设计 | 第57-62页 |
| 5.1.1 控制器结构设计 | 第57-59页 |
| 5.1.2 主控逻辑模块设计 | 第59-61页 |
| 5.1.3 加解密模块设计 | 第61-62页 |
| 5.1.4 逻辑销毁模块设计 | 第62页 |
| 5.2 仿真验证与性能分析 | 第62-69页 |
| 5.2.1 密钥保护仿真 | 第63-64页 |
| 5.2.2 数据加解密模块仿真 | 第64-65页 |
| 5.2.3 加解密数据读写操作仿真 | 第65-66页 |
| 5.2.4 逻辑销毁功能仿真 | 第66页 |
| 5.2.5 系统的性能分析 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 主要工作总结 | 第70页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 作者简历 | 第76页 |
