| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 强关联体系简介 | 第12-13页 |
| 1.2 VO_2简介 | 第13-15页 |
| 1.3 VO_2相变特点 | 第15-17页 |
| 1.4 VO_2研究体系 | 第17-30页 |
| 1.4.1 电场触发相变 | 第17-19页 |
| 1.4.2 外应力调控VO_2相变 | 第19-20页 |
| 1.4.3 界面应力调控VO_2相变 | 第20-21页 |
| 1.4.4 元素掺杂调控VO_2相变 | 第21-22页 |
| 1.4.5 VO_2相变的物理机制探索 | 第22-25页 |
| 1.4.6 基于VO_2相变特性的应用 | 第25-30页 |
| 1.5 小结 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-38页 |
| 第二章 VO_2薄膜的制备和表征 | 第38-52页 |
| 2.1 VO_2薄膜的制备 | 第38-45页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第39-41页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第41-43页 |
| 2.1.3 分子束外延(MBE) | 第43-45页 |
| 2.2 VO_2的结构形貌表征手段 | 第45-49页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术(XRD) | 第45-46页 |
| 2.2.2 X射线反射(XRR) | 第46-47页 |
| 2.2.3 拉曼光谱(Raman) | 第47-48页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第48-49页 |
| 2.3 VO_2的光电表征手段 | 第49-51页 |
| 2.3.1 变温电阻测试 | 第49页 |
| 2.3.2 傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第49-50页 |
| 2.3.3 紫外-可见-近红外光谱 | 第50-51页 |
| 2.4 小结 | 第51-52页 |
| 第三章 分子束外延设备与电子枪设计 | 第52-68页 |
| 3.0 分子束外延设备以及组件 | 第52-53页 |
| 3.1 真空系统 | 第53-54页 |
| 3.2 分子束外延原位原位观测 | 第54-55页 |
| 3.3 自聚焦电子束蒸发源的设计与改进 | 第55-60页 |
| 3.4 石墨烯生长 | 第60-64页 |
| 3.5 小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第四章 基于VO_2的金属-绝缘转变场效应晶体管的性能及机理研究 | 第68-88页 |
| 4.1 研究背景介绍 | 第68-75页 |
| 4.1.1 概念简介 | 第68-69页 |
| 4.1.2 MISFET的构型 | 第69-71页 |
| 4.1.3 物理机制 | 第71-73页 |
| 4.1.4 其他因素 | 第73-75页 |
| 4.2 离子液-VO_2场效应晶体管相关研究 | 第75-84页 |
| 4.2.1 离子液-VO_2场效应晶体管的电学特性 | 第76-78页 |
| 4.2.2 离子液-VO_2场效应晶体管的光学特性 | 第78-79页 |
| 4.2.3 离子液-VO_2场效应晶体管的结构特性 | 第79-82页 |
| 4.2.4 常温金属态VO_2和本征VO_2之间的转变 | 第82-84页 |
| 4.3 小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 H掺杂对VO_2相变的影响及其机理研究 | 第88-106页 |
| 5.1 H-VO_2研究背景简介 | 第88-92页 |
| 5.2 外延薄膜的H-VO_2研究 | 第92-103页 |
| 5.2.1 H-VO_2样品的制备 | 第93-94页 |
| 5.2.2 H-VO_2的电学性质表征 | 第94-97页 |
| 5.2.3 H-VO_2的结构变化表征 | 第97-99页 |
| 5.2.4 H-O键的演变 | 第99-101页 |
| 5.2.5 Raman光谱 | 第101-102页 |
| 5.2.6 第一性原理模拟计算 | 第102-103页 |
| 5.3 本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-112页 |
| 6.1 离子液-VO_2体系 | 第107-109页 |
| 6.2 H-VO_2体系 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第114-115页 |
