| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 单光子探测器 | 第8页 |
| 1.2 超导纳米线单光子探测器 | 第8-12页 |
| 1.3 超导纳米线单光子探测器的探测机理 | 第12-14页 |
| 1.4 超导纳米线单光子探测器的发展现状与前景 | 第14-15页 |
| 1.5 本文研究目的和论文框架 | 第15-17页 |
| 第2章 波导集成的红外超导纳米线单光子探测器的光学仿真 | 第17-31页 |
| 2.1 波导集成的超导纳米线单光子探测器的器件结构 | 第17-18页 |
| 2.2 波导集成的超导纳米线单光子探测器吸收效率的仿真 | 第18-24页 |
| 2.3 波导集成的超导纳米线雪崩单光子探测器吸收效率的仿真 | 第24-26页 |
| 2.4 波导集成的超导纳米线单光子探测器耦合效率的仿真 | 第26-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 氮化铌超导薄膜的制备 | 第31-66页 |
| 3.1 氮化铌超导薄膜 | 第31-34页 |
| 3.1.1 氮化铌超导薄膜的起源与历史 | 第31页 |
| 3.1.2 氮化铌超导薄膜的特性 | 第31-34页 |
| 3.1.3 氮化铌超导薄膜的制备 | 第34页 |
| 3.2 磁控溅射 | 第34-41页 |
| 3.2.1 直流磁控溅射 | 第34-35页 |
| 3.2.2 反应溅射 | 第35-39页 |
| 3.2.3 制备氮化铌薄膜衬底的选择 | 第39页 |
| 3.2.4 直流反应磁控溅射制备氮化铌薄膜的流程 | 第39-41页 |
| 3.3 氮化铌超导薄膜常温和低温电学特性的测量 | 第41-43页 |
| 3.3.1 氮化铌超导薄膜室温电学特性的测量 | 第41-42页 |
| 3.3.2 氮化铌超导薄膜的低温测试 | 第42-43页 |
| 3.4 氮化铌超导薄膜的测试结果和讨论 | 第43-65页 |
| 3.4.1 氮化铌超导薄膜的低温测试结果 | 第43-57页 |
| 3.4.2 氮化铌超导薄膜的低温测试结果的分析 | 第57-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 波导集成的红外超导纳米线单光子探测器的加工 | 第66-81页 |
| 4.1 波导集成的超导纳米线单光子探测器纳米线吸收测试系统 | 第66-67页 |
| 4.2 波导集成的超导纳米线单光子探测器吸收结构的加工 | 第67-79页 |
| 4.3 波导集成的超导纳米线单光子探测器加工板图的设计 | 第79-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 总结与展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 附录 | 第88-89页 |
| 附录A 波导集成的超导纳米线单光子探测器吸收效率公式推导 | 第88-89页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
