CIGS薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 太阳能电池简介 | 第11-16页 |
1.1.1 太阳能电池的分类 | 第11-12页 |
1.1.2 CIGS的基本结构 | 第12-13页 |
1.1.3 CIGS薄膜电池的结构 | 第13页 |
1.1.4 真空法制备CIGS薄膜电池的研究进展 | 第13-16页 |
1.2 靶材制备方法 | 第16页 |
1.2.1 熔融铸造法 | 第16页 |
1.2.2 粉末冶金法 | 第16页 |
1.3 粉体材料烧结致密化机理 | 第16-18页 |
1.4 热压烧结中的影响参数 | 第18-19页 |
1.4.1 烧结温度的影响 | 第18页 |
1.4.2 烧结时间的影响 | 第18-19页 |
1.4.3 烧结压力的影响 | 第19页 |
1.4.4 粉末粒径的影响 | 第19页 |
1.5 研究意义及目的 | 第19-21页 |
第二章 CIGS靶材、薄膜的制备设备及表征方法 | 第21-30页 |
2.1 CIGS薄膜的制备设备和成膜机理 | 第21-23页 |
2.2 CIGS靶材的制备设备 | 第23页 |
2.3 CIGS靶材和薄膜制备及退火工艺 | 第23-26页 |
2.3.1 CIGS靶材制备工艺 | 第23-24页 |
2.3.2 CIGS薄膜制备工艺 | 第24页 |
2.3.3 磁控溅射影响因素 | 第24-26页 |
2.3.4 CIGS薄膜固态Se源退火工艺 | 第26页 |
2.4 表征技术 | 第26-30页 |
2.4.1 阿基米德排水法 | 第26页 |
2.4.2 X射线衍射分析(XRD) | 第26-27页 |
2.4.3 电子扫描显微镜(SEM)和EDS | 第27-28页 |
2.4.4 光电导测试 | 第28-30页 |
第三章 CIGS四元靶材及薄膜的制备与性能 | 第30-49页 |
3.1 烧结温度对CIGS靶材的性能影响 | 第30-34页 |
3.1.1 晶体结构 | 第31-32页 |
3.1.2 SEM | 第32页 |
3.1.3 成分 | 第32-33页 |
3.1.4 致密度 | 第33-34页 |
3.1.5 本节小结 | 第34页 |
3.2 靶材烧结温度对CIGS薄膜的性能影响 | 第34-48页 |
3.2.1 晶体结构 | 第34-38页 |
3.2.2 表面形貌 | 第38-42页 |
3.2.3 化学成分 | 第42-43页 |
3.2.4 方块电阻 | 第43-44页 |
3.2.5 光电导 | 第44-48页 |
3.2.6 本节小结 | 第48页 |
3.3 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 固态Se源退火对CIGS薄膜的性能影响 | 第49-62页 |
4.1 晶体结构 | 第49-52页 |
4.2 表面形貌 | 第52-55页 |
4.3 成分含量 | 第55-57页 |
4.4 CIGS薄膜方块电阻和光电导 | 第57-61页 |
4.5 本章小结 | 第61-62页 |
结论 | 第62-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第69页 |