| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO的光电性质及其应用 | 第13-14页 |
| 1.4 ZnO的能带调节工程 | 第14-15页 |
| 1.5 ZnO的本征点缺陷 | 第15-17页 |
| 1.5.1 锌间隙 | 第16页 |
| 1.5.2 氧空位 | 第16页 |
| 1.5.3 锌空位 | 第16-17页 |
| 1.6 ZnO的p型掺杂及其器件研究进展 | 第17-23页 |
| 1.6.1 本征p型ZnO材料 | 第17-18页 |
| 1.6.2 单受主元素掺杂p型ZnO材料 | 第18-21页 |
| 1.6.3 共掺杂p型ZnO材料 | 第21-23页 |
| 1.7 立题依据、研究内容及创新点 | 第23-26页 |
| 1.7.1 立题依据与研究内容 | 第23-24页 |
| 1.7.2 创新点 | 第24-26页 |
| 2 实验设备、制备工艺及性能表征 | 第26-37页 |
| 2.1 实验原理介绍 | 第26-30页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射基本原理 | 第26-28页 |
| 2.1.2 离子注入技术 | 第28-29页 |
| 2.1.3 热处理工艺 | 第29-30页 |
| 2.2 实验过程 | 第30-32页 |
| 2.2.1 实验设备和原材料 | 第30-31页 |
| 2.2.2 衬底的准备与清洗 | 第31页 |
| 2.2.3 薄膜制备流程 | 第31-32页 |
| 2.3 材料表征手段 | 第32-37页 |
| 2.3.0 膜厚测试 | 第32页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第32-33页 |
| 2.3.2 霍尔效应测试分析 | 第33-34页 |
| 2.3.3 拉曼光谱测试分析 | 第34-35页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱分析 | 第35-36页 |
| 2.3.5 电流电压（I-V）测试分析 | 第36-37页 |
| 3 退火温度对ZnMgO:In-N薄膜p型转变的影响 | 第37-46页 |
| 3.1 退火温度对ZnMgO:In-N薄膜电学特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.2 退火温度对ZnMgO:In-N薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.3 拉曼光谱分析 | 第39-41页 |
| 3.4 元素化学态分析 | 第41-44页 |
| 3.5 I-V特性曲线 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 ZnMgO:In-N薄膜的p型稳定性研究 | 第46-52页 |
| 4.1 p型ZnMgO:In-N薄膜的可重复性和稳定性 | 第46-47页 |
| 4.2 影响p型ZnO稳定性的因素研究 | 第47-51页 |
| 4.2.1 双重施主缺陷(N2)O对p型的补偿与高温真空退火处理 | 第47-49页 |
| 4.2.2 表面吸附对p型稳定性的影响与低温真空退火处理 | 第49-51页 |
| 4.3 小结 | 第51-52页 |
| 5 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 主要结论 | 第52页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 附录A：作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
