| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物(TMDs)简介 | 第10-19页 |
| 1.2.1 TMDs材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 TMDs材料的性质 | 第11-13页 |
| 1.2.3 TMDs材料的制备方法 | 第13-19页 |
| 1.3 二维MoTe_2材料简介 | 第19-29页 |
| 1.3.1 二维MoTe_2材料的结构 | 第19-20页 |
| 1.3.2 二维MoTe_2材料的性质 | 第20-21页 |
| 1.3.3 二维MoTe_2材料的应用 | 第21-25页 |
| 1.3.4 MoTe_2的制备方法 | 第25-29页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要研究内容 | 第29-31页 |
| 1.4.1 论文的研究意义 | 第29-30页 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 实验试剂、仪器及表征技术 | 第31-35页 |
| 2.1 实验试剂及原料 | 第31-32页 |
| 2.2 实验仪器 | 第32页 |
| 2.3 二维MoTe_2材料的分析表征 | 第32-35页 |
| 2.3.1 材料的形貌分析 | 第32-33页 |
| 2.3.2 材料的组分分析 | 第33页 |
| 2.3.3 材料的晶体结构分析 | 第33页 |
| 2.3.4 材料的光谱性质分析 | 第33-35页 |
| 第3章 MoO_2碲化法制备单晶MoTe_2薄膜 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-38页 |
| 3.2.1 清洗Si/SiO_2衬底 | 第36页 |
| 3.2.2 CVD法生长MoO_2单晶薄膜 | 第36-37页 |
| 3.2.3 CVD法生长MoTe_2单晶薄膜 | 第37-38页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第38-51页 |
| 3.3.1 MoO_2及MoTe_2薄膜的形貌分析 | 第38-42页 |
| 3.3.2 MoO_2及MoTe_2薄膜的光谱性质分析 | 第42-45页 |
| 3.3.3 MoO_2及MoTe_2薄膜的组分分析 | 第45-48页 |
| 3.3.4 MoO_2及MoTe_2薄膜的晶体结构分析 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 可控制备2H相和1T'相MoTe_2薄膜的机理研究 | 第53-67页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 热力学控制生长单晶MoTe_2薄膜的研究 | 第54-60页 |
| 4.2.1 碲化温度对制备MoTe_2薄膜的影响 | 第54-58页 |
| 4.2.2 碲化时间对制备MoTe_2薄膜的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.3 生长机理分析 | 第59-60页 |
| 4.3 动力学控制生长单晶MoTe_2薄膜的研究 | 第60-65页 |
| 4.3.1 碲源挥发温度对制备MoTe_2薄膜的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.2 碲蒸气分压对制备MoTe_2薄膜的影响 | 第62-64页 |
| 4.3.3 生长机理分析 | 第64-65页 |
| 4.4 动力学和热力学协同作用控制生长MoTe_2薄膜 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第81页 |
