金属氧化物薄膜晶体管SPICE模型参数提取及电路仿真
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 薄膜晶体管 | 第10-15页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的发展 | 第10-13页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的技术分类及比较 | 第13-14页 |
| 1.1.3 薄膜晶体管的应用 | 第14-15页 |
| 1.2 ZnO-TFT器件 | 第15-17页 |
| 1.2.1 ZnO材料特性 | 第15-16页 |
| 1.2.2 ZnO-TFT | 第16-17页 |
| 1.3 半导体器件的仿真模型 | 第17-20页 |
| 1.3.1 仿真模型的研究 | 第17-18页 |
| 1.3.2 半导体器件的SPICE模型 | 第18-19页 |
| 1.3.3 新型半导体器件的建模 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的选题依据和研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 TFT器件的SPICE仿真模型 | 第22-68页 |
| 2.1 a-Si:H TFT的SPICE模型探究 | 第22-38页 |
| 2.1.1 DC模型 | 第22-36页 |
| 2.1.2 AC模型 | 第36-38页 |
| 2.2 LTPS TFT的SPICE模型探究 | 第38-63页 |
| 2.2.1 DC模型 | 第38-60页 |
| 2.2.2 AC模型 | 第60-63页 |
| 2.3 ZnO-TFT器件的SPICE模型 | 第63-65页 |
| 2.4 本章小结 | 第65-68页 |
| 第三章 ZnO-TFT器件的测试 | 第68-74页 |
| 3.1 测试平台 | 第68-69页 |
| 3.2 DC测试 | 第69-70页 |
| 3.3 AC测试 | 第70-71页 |
| 3.4 单元电路测试 | 第71-73页 |
| 3.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 ZnO-TFT器件的建模 | 第74-88页 |
| 4.1 DC模型建模 | 第74-78页 |
| 4.2 AC模型建模 | 第78-80页 |
| 4.3 单元电路的测试与模型验证 | 第80-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-88页 |
| 第五章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 5.1 本文主要研究内容和成果 | 第88页 |
| 5.2 论文的不足之处及未来展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 作者简历及在校期间所取得的科研成果 | 第96-98页 |
| 作者简历 | 第96页 |
| 发明专利 | 第96-98页 |
| 附录 | 第98-101页 |
