| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·移动通信发展背景 | 第9-10页 |
| ·射频功率放大器记忆效应的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 非线性功率放大器的基本理论 | 第12-32页 |
| ·电子系统的分类 | 第12-14页 |
| ·功率放大器的非线性分析 | 第14-23页 |
| ·谐波失真 | 第14-15页 |
| ·交调失真 | 第15-17页 |
| ·AM-AM 与AM-PM 特性 | 第17-23页 |
| ·功率放大器的线性度指标 | 第23-27页 |
| ·1dB 压缩点（P_(1dB)） | 第23-24页 |
| ·交调失真（IMD） | 第24-25页 |
| ·三阶截断点（IP3） | 第25页 |
| ·邻近信道功率比（ACPR） | 第25-27页 |
| ·常用的功率放大器的线性化技术 | 第27-32页 |
| ·负反馈 | 第27-28页 |
| ·前馈 | 第28页 |
| ·非线性器件的线性放大法（LINC） | 第28-29页 |
| ·包络消除与恢复（EE& R） | 第29页 |
| ·预失真技术 | 第29-31页 |
| ·主要线性化技术性能比较 | 第31-32页 |
| 第三章 功率放大器记忆效应的理论分析 | 第32-41页 |
| ·记忆效应的定义 | 第32-33页 |
| ·记忆效应的分类 | 第33-38页 |
| ·电记忆效应 | 第33-36页 |
| ·热记忆效应 | 第36-38页 |
| ·记忆效应的表现 | 第38-41页 |
| 第四章 功率放大器的非线性模型 | 第41-49页 |
| ·放大器的物理模型（有源器件模型） | 第41-44页 |
| ·放大器的行为模型及数学描述 | 第44-49页 |
| ·无记忆放大器模型 | 第44-46页 |
| ·Saleh 模型 | 第44-45页 |
| ·傅里叶级数模型 | 第45-46页 |
| ·有记忆放大器模型 | 第46-49页 |
| ·Wiener 模型 | 第46页 |
| ·Hammerstein 模型 | 第46-47页 |
| ·并联Hammerstein（PH）模型 | 第47页 |
| ·Volterra 模型 | 第47-49页 |
| 第五章 功率放大器记忆效应的仿真与测量 | 第49-60页 |
| ·功率放大器记忆效应的仿真 | 第49-57页 |
| ·热记忆效应的仿真 | 第49-54页 |
| ·基于MET LDMOS 模型的晶体管热记忆效应仿真 | 第49-51页 |
| ·基于LDMOS 管的单管放大器热记忆效应仿真 | 第51-54页 |
| ·电记忆效应的仿真 | 第54-57页 |
| ·功率放大器记忆效应的测量 | 第57-60页 |
| 第六章 功率放大器记忆效应的消除 | 第60-70页 |
| ·电记忆效应消除 | 第60-65页 |
| ·阻抗优化 | 第60-63页 |
| ·有源负载原理 | 第60-63页 |
| ·测试电路的设置及其校准 | 第63页 |
| ·包络滤波 | 第63-64页 |
| ·包络注入 | 第64-65页 |
| ·热记忆效应的消除 | 第65-70页 |
| 第七章 结束语 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 在学期间的研究成果 | 第76-77页 |