| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 英文摘要 | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1．1 红外知识简介 | 第9-10页 |
| 1．1．1 红外辐射的基本定律 | 第9-10页 |
| 1．1．2 红外技术的应用与发展 | 第10页 |
| 1．2 红外探测器 | 第10-16页 |
| 1．2．1 红外光电探测技术的历史、现状和今后的发展 | 第11-13页 |
| 1．2．2 GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的背景及发展现状 | 第13-15页 |
| 1．2．3 新型GaAs／AlGaAs量子阱中远红外探测器的提出 | 第15-16页 |
| 本章小结 | 第16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第2章 常规GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器 | 第17-36页 |
| 2．1 常规GaAs／AlGaAs QWIPs的工作机理 | 第18-26页 |
| 2．1．1 束缚态之间的子带间吸收和连续共振隧穿 | 第18-21页 |
| 2．1．2 三种不同位置激发态的QWIPs | 第21-26页 |
| 2．2 束缚态、准束缚态和连续态QWIPs的比较 | 第26-32页 |
| 2．3 常规GaAs／AlGaAs QWIPs的缺点及限制 | 第32-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第3章 新型GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器 | 第36-53页 |
| 3．1 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的工作机理 | 第36-48页 |
| 3．1．1 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的优点 | 第38-40页 |
| 3．1．2 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的参数分析 | 第40-45页 |
| 3．1．3 新型GaAs／AlGaAs QWIPs器件结构参数的设计 | 第45-48页 |
| 3．2 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的机理验证 | 第48-50页 |
| 3．3 新型GaAs／AlGaAs QWIPs研制过程中遇到的困难 | 第50-52页 |
| 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第4章 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的改进及验证 | 第53-69页 |
| 4．1 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的设计改进 | 第53-61页 |
| 4．1．1 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的改进实验 | 第53-57页 |
| 4．1．2 新型GaAs／AlGaAs QWIPs改进实验的分析 | 第57-61页 |
| 4．2 隧道结生长的实验及结果分析 | 第61-63页 |
| 4．2．1 隧道结效应 | 第61-62页 |
| 4．2．2 隧道结实验结果与分析 | 第62-63页 |
| 4．3 常规GaAs／AlGaAs QWIPs的实验及结果分析 | 第63-68页 |
| 4．3．1 常规量子阱红外探测器结构参数的选取 | 第63-64页 |
| 4．3．2 常规量子阱红外探测器的实验结果与分析 | 第64-68页 |
| 本章小结 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第5章 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的参数计算及制备 | 第69-80页 |
| 5．1 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的参数计算 | 第69-71页 |
| 5．2 新型GaAs／AlGaAs QWIPs的工艺制备 | 第71-77页 |
| 5．2．1 GaAs／AlGaAs量子阱结构红外探测器工艺流程 | 第71-75页 |
| 5．2．2 器件制备工艺结果对器件的影响 | 第75-77页 |
| 5．3 GaAs／AlGaAs量子阱结构红外探测器的测试 | 第77-79页 |
| 本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
