摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第13-22页 |
1.1 研究背景及意义 | 第13-14页 |
1.1.1 研究背景 | 第13页 |
1.1.2 研究的意义 | 第13-14页 |
1.2 国内外研究现状 | 第14-19页 |
1.2.1 铟的浸提 | 第14-16页 |
1.2.2 铟的萃取 | 第16-18页 |
1.2.3 铟的反萃 | 第18页 |
1.2.4 铟的电解精炼 | 第18-19页 |
1.3 研究目标 | 第19页 |
1.4 研究内容与方法 | 第19-20页 |
1.4.1 废液晶面板显示器铟浸提过程伴随金属的迁移特性 | 第19页 |
1.4.2 废液晶面板显示器铟萃取和反萃过程伴随金属的迁移特性 | 第19页 |
1.4.3 浓缩废液晶面板显示器浸提液中铟回收影响因素分析 | 第19-20页 |
1.4.4 铟的再生技术研究 | 第20页 |
1.5 研究技术路线 | 第20-22页 |
第2章 废TFT-LCDs铟浸提过程伴随金属的迁移特性研究 | 第22-26页 |
2.1 废液晶面板显示器材料组成 | 第22-23页 |
2.2 废液晶面板显示器不同酸浸体系浸出元素成分分析 | 第23-25页 |
2.2.1 消解试验 | 第23-24页 |
2.2.3 不同酸浸系统废TFT-LCDs酸浸液主要含量分析 | 第24-25页 |
2.3 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 废液晶面板显示器铟萃取反萃过程伴随金属的迁移特性研究 | 第26-38页 |
3.1 萃取剂的选择 | 第26-30页 |
3.1.1 P204萃取机理 | 第26-27页 |
3.1.2 TBP萃取机理 | 第27页 |
3.1.3 不同萃取方法萃取铟研究 | 第27-28页 |
3.1.4 影响P204萃取铟的主要因素分析 | 第28-30页 |
3.2 萃取过程伴随金属离子转移试验研究 | 第30-35页 |
3.2.1 试验材料及主要仪器 | 第30-31页 |
3.2.2 试验方法 | 第31页 |
3.2.3 模拟液中In~(3+)、Fe~(3+)和Al~(3+)萃取特性 | 第31-34页 |
3.2.4 废TFT-LCDs面板硫酸浸出液In~(3+)、Fe~(3+)和Al~(3+)的萃取特性 | 第34-35页 |
3.3 反萃过程伴随金属离子转移研究 | 第35-36页 |
3.3.1 反萃机理 | 第35页 |
3.3.2 影响铟反萃取的主要因素分析 | 第35-36页 |
3.3.3 试验材料及方法 | 第36页 |
3.3.4 废TFT-LCDs面板硫酸浸出液萃取离子反萃特性 | 第36页 |
3.4 本章小结 | 第36-38页 |
第4章 浓缩废液晶面板显示器酸浸液中铟回收影响因素分析 | 第38-48页 |
4.1 试验材料及主要仪器 | 第38页 |
4.2 试验方法 | 第38-39页 |
4.3 不同浓缩倍数对P204萃取In~(3+)的萃取率影响 | 第39页 |
4.4 P204萃取In~(3+)能力分析 | 第39-40页 |
4.5 偏光片对In的萃取影响 | 第40页 |
4.6 伴随离子对P204萃取反萃In~(3+)能力的影响 | 第40-46页 |
4.6.1 单一离子浓缩模拟液伴随离子萃取反萃特性 | 第40-43页 |
4.6.2 废TFT-LCDs面板酸浸液浓缩萃取反萃 | 第43-46页 |
4.7 酸度对P204萃取In~(3+)能力的影响 | 第46-47页 |
4.8 本章小结 | 第47-48页 |
第5章 铟的再生技术研究 | 第48-57页 |
5.1 离心萃取机萃取反萃废液晶显示器铟过程伴随金属转移特性 | 第48-53页 |
5.1.1 试验装置 | 第48-49页 |
5.1.2 试验方法 | 第49-50页 |
5.1.3 配置In~(3+)标液在离心萃取机中萃取反萃特性 | 第50-51页 |
5.1.4 废TFT-LCDs面板浸出液在离心萃取机中萃取反萃特性 | 第51-53页 |
5.2 铟的电解精炼提纯技术试验 | 第53-55页 |
5.2.1 试验装置及原理 | 第53-54页 |
5.2.2 试验材料及方法 | 第54页 |
5.2.3 铟的电解精炼试验结果 | 第54-55页 |
5.2.4 电解过程的影响因素 | 第55页 |
5.3 本章小结 | 第55-57页 |
结论与展望 | 第57-59页 |
一、结论 | 第57-58页 |
二、展望 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第65页 |