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Au/VO2复合结构纳米颗粒阵列的制备及其共振特性研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 二氧化钒(VO_2)简介第9-11页
    1.2 纳米材料的特性及其应用第11页
    1.3 LSPR生物传感器简介第11-13页
    1.4 VO_2纳米颗粒阵列的应用领域及研究现状第13-14页
    1.5 Au/VO_2复合结构纳米颗粒阵列的应用领域及研究现状第14-15页
    1.6 本课题研究内容与意义第15-16页
第2章 基本制备方法及分析方法第16-30页
    2.1 VO_2薄膜的制备工艺介绍第16-20页
        2.1.1 溶胶-凝胶法第16-17页
        2.1.2 真空蒸发法第17-18页
        2.1.3 溅射镀膜法第18-20页
    2.2 单层SiO_2纳米球掩膜层的制备工艺介绍第20-22页
        2.2.1 溶剂蒸发法第21页
        2.2.2 超声振荡提拉法第21-22页
        2.2.3 引流分散提拉法第22页
    2.3 金纳米材料的制备工艺介绍第22-25页
        2.3.1 柠檬酸钠化学还原法第22-23页
        2.3.2 晶种生长法第23页
        2.3.3 模板法第23-24页
        2.3.4 电子束蒸发法第24-25页
    2.4 离子束刻蚀法第25页
    2.5 分析手段和测试方法第25-30页
        2.5.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第25-26页
        2.5.2 原子力显微镜(AFM)第26-27页
        2.5.3 X射线衍射(XRD)第27-28页
        2.5.4 近红外变温光谱第28-30页
第3章 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的制备及其性能研究第30-42页
    3.1 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的制备第30-33页
        3.1.1 Al_2O_3基底的清洗第30-31页
        3.1.2 制备单层SiO_2纳米球第31-32页
        3.1.3 磁控溅射制备VO_x/SiO_2纳米颗粒阵列第32-33页
        3.1.4 快速热处理形成VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列第33页
    3.2 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的性能研究第33-39页
        3.2.1 提拉速度对VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的影响第33-34页
        3.2.2 退火时间对VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的影响第34-35页
        3.2.3 氧气流量对VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的影响第35-38页
        3.2.4 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列的最佳制备条件参数第38-39页
    3.3 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列和VO_2薄膜的微观表征与特性分析对比第39-40页
        3.3.1 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列和VO_2薄膜的SEM表征第39-40页
        3.3.2 VO_2/SiO_2阵列和VO_2薄膜的可见-近红外变温光谱表征第40页
    3.4 本章小结第40-42页
第4章 Au/VO_2复合结构纳米颗粒阵列的制备及其性能研究第42-54页
    4.1 VO_2/SiO_2纳米颗粒阵列和Au/VO_2纳米颗粒阵列的联系与区别第42-43页
    4.2 Au/VO_2复合结构纳米颗粒阵列的制备第43-46页
        4.2.1 磁控溅射的方法沉积金属V薄膜第43-44页
        4.2.2 提拉镀膜的方法制备单层SiO_2掩膜层第44页
        4.2.3 离子束刻蚀除去掩膜层缝隙处薄膜第44-45页
        4.2.4 电子束蒸发的方法沉积Au薄膜第45页
        4.2.5 超声振荡除去SiO_2掩膜层第45页
        4.2.6 快速热处理形成Au/VO_2复合结构纳米颗粒阵列第45-46页
    4.3 Au/VO_2复合结构纳米颗粒阵列的性能研究第46-52页
        4.3.1 金属V薄膜厚度对Au/VO_2纳米颗粒阵列的性能影响第46-49页
        4.3.2 退火时间对Au/VO_2纳米颗粒阵列的性能影响第49-51页
        4.3.3 Au/VO_2纳米颗粒阵列的最佳制备参数及微观形貌表征第51-52页
    4.4 本章小结第52-54页
第5章 总结与展望第54-57页
    5.1 总结第54-55页
    5.2 展望第55-57页
参考文献第57-61页
发表论文和参加科研情况说明第61-62页
致谢第62-63页

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