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类金刚石碳薄膜材料的高功率脉冲磁控溅射制备

摘要第11-12页
Abstract第12-13页
第1章 绪论第14-28页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 DLC薄膜的微观结构与制备机理概述第15-18页
        1.2.1 DLC薄膜的微观结构第15-16页
        1.2.2 DLC薄膜的制备机理第16-18页
    1.3 DLC薄膜的性能第18-20页
        1.3.1 DLC薄膜的机械性能第18-20页
        1.3.2 DLC薄膜的电学性能第20页
        1.3.3 DLC薄膜的光学性能第20页
    1.4 DLC薄膜的制备方法第20-23页
        1.4.1 离子束沉积第21页
        1.4.2 磁控溅射第21页
        1.4.3 真空阴极电弧沉积第21-22页
        1.4.4 脉冲激光沉积第22页
        1.4.5 等离子体增强化学气相沉积第22-23页
    1.5 DLC薄膜应用的局限性以及薄膜的掺杂改性第23-26页
        1.5.1 DLC薄膜应用的局限性第23页
        1.5.2 DLC薄膜的掺杂改性第23-26页
    1.6 研究的目的和意义第26-28页
第2章 类金刚石碳薄膜材料的制备和表征技术第28-36页
    2.1 DLC薄膜的制备技术第28-31页
        2.1.1 磁控溅射技术原理第28-29页
        2.1.2 高功率脉冲磁控溅射技术定义及优点第29-30页
        2.1.3 高功率脉冲磁控溅射技术原理第30-31页
    2.2 DLC薄膜的制备第31-33页
    2.3 DLC薄膜的表征第33-36页
        2.3.1 拉曼光谱第33-34页
        2.3.2 纳米压痕第34页
        2.3.3 热场发射扫描电镜(SEM)第34-35页
        2.3.4 原子力显微镜(AFM)第35-36页
第3章 DLC薄膜制备工艺参数的探索第36-46页
    3.1 直流磁控溅射制备DLC薄膜第36-40页
        3.1.1 直流磁控溅射工艺参数第36页
        3.1.2 薄膜微观形貌分析第36-38页
        3.1.3 薄膜Raman光谱分析第38-39页
        3.1.4 薄膜纳米硬度第39-40页
    3.2 高功率脉冲磁控溅射技术放电特性第40-41页
    3.3 DC+HiPIMS耦合方式制备DLC薄膜的工艺研究第41-44页
        3.3.1 薄膜微观形貌分析第42-43页
        3.3.2 薄膜Raman光谱分析第43-44页
        3.3.3 薄膜纳米硬度第44页
    3.4 低溅射气压下HiPIMS制备DLC艺的研究第44-45页
    3.5 本章小结第45-46页
第4章 DLC薄膜及氮掺杂的DLC薄膜的HiPIMS制备与表征第46-58页
    4.1 单独采用HiPIMS模块制备DLC薄膜第46-50页
        4.1.1 HiPIMS工艺参数第46页
        4.1.2 薄膜微观形貌分析第46-48页
        4.1.3 薄膜Raman光谱分析第48-49页
        4.1.4 薄膜纳米硬度第49-50页
    4.2 氮掺杂的类金刚石碳(DLC:N)的HiPIMS制备与表征第50-56页
        4.2.1 DLC:N薄膜的制备工艺参数第50-51页
        4.2.2 薄膜微观形貌分析第51-52页
        4.2.3 薄膜Raman光谱分析第52-53页
        4.2.4 薄膜纳米硬度第53-54页
        4.2.5 制备温度对DLC:N薄膜的影响第54-56页
    4.3 本章小结第56-58页
第5章 结论及展望第58-60页
    5.1 结论第58-59页
    5.2 创新点第59页
    5.3 展望第59-60页
参考文献第60-66页
致谢第66-67页
附件第67页

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