| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 漏电流对SRAM读操作的影响 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 SRAM基本原理及现有漏流补偿技术 | 第14-28页 |
| 2.1 SRAM的基本结构 | 第14-15页 |
| 2.2 SRAM单元工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2.1 读操作 | 第16-17页 |
| 2.2.2 写操作 | 第17页 |
| 2.2.3 保持操作 | 第17页 |
| 2.3 BLC技术 | 第17-21页 |
| 2.3.1 BLC技术的提出 | 第17-18页 |
| 2.3.2 BLC工作原理 | 第18-20页 |
| 2.3.3 BLC电路优缺点分析 | 第20-21页 |
| 2.4 X-calibration技术 | 第21-24页 |
| 2.4.1 X-calibration电路的提出 | 第21页 |
| 2.4.2 X-calibration电路工作原理 | 第21-24页 |
| 2.4.3 X-calibration技术的优缺点 | 第24页 |
| 2.5 位线正反馈补偿技术 | 第24-27页 |
| 2.5.1 位线正反馈补偿技术的提出 | 第24页 |
| 2.5.2 位线正反馈补偿电路工作原理 | 第24-27页 |
| 2.5.3 位线正反馈补偿电路优缺点 | 第27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 加法校准电路 | 第28-35页 |
| 3.1 AC电路的提出 | 第28页 |
| 3.2 AC电路工作原理 | 第28-31页 |
| 3.3 AC电路仿真分析 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 新型加法校准电路 | 第35-44页 |
| 4.1 NAC技术的提出 | 第35页 |
| 4.2 NAC原理分析 | 第35-38页 |
| 4.3 仿真分析 | 第38-41页 |
| 4.4 使用的SA介绍 | 第41-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 总结 | 第44页 |
| 5.2 展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 图表目录 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第53页 |