| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-12页 |
| 第一章 综述 | 第12-20页 |
| 1.1 SmCo永磁材料 | 第12-16页 |
| 1.1.1 Sm-Co合金的晶体结构 | 第12-15页 |
| 1.1.2 磁性特征 | 第15-16页 |
| 1.1.3 磁性交换偏置 | 第16页 |
| 1.2 SmCo薄膜研究现状与未来 | 第16-20页 |
| 1.2.1 SmCo薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.2 稀土永磁材料的未来展望 | 第18-20页 |
| 第二章 SmCo薄膜的制备与表征 | 第20-30页 |
| 2.1 SmCo薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第20-21页 |
| 2.1.2 分子束外延(MBE) | 第21-22页 |
| 2.1.3 磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.2 SmCo薄膜的表征方法 | 第23-30页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.4 综合物性测量系统(PPMS) | 第26页 |
| 2.2.5 振动样品磁强计(VSM) | 第26-27页 |
| 2.2.6 磁光克尔效应(MOKE)分析 | 第27-30页 |
| 第三章 薄膜的制备和实验过程 | 第30-34页 |
| 3.1 脉冲激光沉积系统 | 第30-31页 |
| 3.2 实验过程 | 第31-32页 |
| 3.3 表征手段 | 第32-34页 |
| 第四章 SmCo/Cr薄膜制备工艺及对结构和性能的影响 | 第34-43页 |
| 4.1 Cu层对SmCo/Cr薄膜的影响 | 第34-36页 |
| 4.2 不同Cr含量对SmCo/Cr薄膜结构和性能的影响 | 第36-39页 |
| 4.3 不同Sm含量对SmCo/Cr薄膜结构和性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.4 退火温度对SmCo/Cr薄膜结构和性能的影响 | 第40-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 SmCo/Cr薄膜交换偏置效应研究 | 第43-52页 |
| 5.1 交换偏置原理、影响因素和研究现状 | 第43-46页 |
| 5.1.1 交换偏置效应的原理 | 第43-44页 |
| 5.1.2 当前研究现状 | 第44-45页 |
| 5.1.3 影响磁性交换偏置效应的主要因素 | 第45-46页 |
| 5.2 反铁磁层厚度对交换偏置效应的影响 | 第46-48页 |
| 5.3 SmCo磁性层厚度对交换偏置效应的影响 | 第48-49页 |
| 5.4 温度对交换偏置的影响 | 第49-50页 |
| 5.5 退火温度对交换偏置的影响 | 第50-51页 |
| 5.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61页 |
