| 摘要 | 第10-13页 |
| ABSTRACT | 第13-16页 |
| 论文中常用符号说明 | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第19-20页 |
| 1.2 研究现状及存在问题 | 第20-22页 |
| 1.3 研究内容及论文安排 | 第22-25页 |
| 第二章 发光二极管及提取效率 | 第25-45页 |
| 2.1 LED发展及优势特点 | 第25-27页 |
| 2.1.1 LED发展历史 | 第25-26页 |
| 2.1.2 LED的特点 | 第26-27页 |
| 2.2 LED发光原理 | 第27-32页 |
| 2.2.1 半导体材料及P-N结特性 | 第27-28页 |
| 2.2.2 载流子复合辐射发光 | 第28-30页 |
| 2.2.3 LED结构以及白光的实现 | 第30-32页 |
| 2.3 LED效率及影响因素 | 第32-36页 |
| 2.3.1 LED发光效率 | 第32-33页 |
| 2.3.2 LED内量子效率 | 第33页 |
| 2.3.3 LED光提取效率 | 第33-36页 |
| 2.4 LED光提取效率增强措施 | 第36-44页 |
| 2.4.1 增强光到出光面反射技术 | 第36-39页 |
| 2.4.2 表面处理技术 | 第39-40页 |
| 2.4.3 纳米结构技术 | 第40-42页 |
| 2.4.4 倒装薄膜技术或者微腔技术 | 第42-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 数值计算方法 | 第45-66页 |
| 3.1 电磁计算方法 | 第45-47页 |
| 3.1.1 高频近似法 | 第45页 |
| 3.1.2 矩量法 | 第45-46页 |
| 3.1.3 有限元法 | 第46页 |
| 3.1.4 时域有限差分法FDTD | 第46-47页 |
| 3.2 时域有限差分FDTD分析方法 | 第47-60页 |
| 3.2.1 Maxwell方程差分和Yee元胞 | 第47-53页 |
| 3.2.2 数值稳定和数值色散条件 | 第53-55页 |
| 3.2.3 边界条件 | 第55-58页 |
| 3.2.4 激励源设置 | 第58-60页 |
| 3.3 LED数值模型 | 第60-64页 |
| 3.3.1 偶极子源近似LED量子阱层 | 第60-63页 |
| 3.3.2 倒置薄膜LED光提取效率计算模型 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 倒置薄膜LED光提取效率及光子晶体 | 第66-81页 |
| 4.1 倒置薄膜LED理论 | 第66-74页 |
| 4.1.1 无嵌入光源法布里腔 | 第66-68页 |
| 4.1.2 嵌入光源法布里腔 | 第68-70页 |
| 4.1.3 提取效率和微腔阶数 | 第70-74页 |
| 4.2 倒置薄膜LED结构及辐射模式 | 第74-77页 |
| 4.2.1 倒置薄膜LED制备 | 第74-75页 |
| 4.2.2 倒置薄膜LED模型和辐射模式 | 第75-77页 |
| 4.3 光子晶体以及提取条件 | 第77-80页 |
| 4.3.1 光子晶体特性 | 第77-78页 |
| 4.3.2 二维光子晶体的光提取机制 | 第78-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 p-GaN层深度刻蚀光子晶体对GaN基倒置薄膜LED光提取效率增强的影响 | 第81-93页 |
| 5.1 倒置薄膜TFFC LED及p-GaN层深度刻蚀光子晶体 | 第81-82页 |
| 5.2 数值模型分析 | 第82-84页 |
| 5.3 计算结果讨论分析 | 第84-92页 |
| 5.3.1 有源层相对位置或p-GaN层厚度对光提取效率的影响 | 第84-85页 |
| 5.3.2 p-GaN层光子晶体刻蚀深度对光提取效率的影响 | 第85-87页 |
| 5.3.3 深度刻蚀光子晶体中有源层相对位置对光提取效率的影响 | 第87-88页 |
| 5.3.4 深度刻蚀光子晶体晶格常数和填充率对光提取效率的影响 | 第88-90页 |
| 5.3.5 计算结果综合分析 | 第90-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 双嵌入光子晶体对GaN基倒置薄膜LED光提取效率增强的影响 | 第93-108页 |
| 6.1 倒置薄膜TFFC LED及嵌入式光子晶体 | 第93-94页 |
| 6.2 数值模型分析 | 第94-97页 |
| 6.3 计算结果讨论分析 | 第97-107页 |
| 6.3.1 微腔厚度及有源层相对位置对光提取效率的影响 | 第97-100页 |
| 6.3.2 单p-GaN层嵌入式光子晶体对光提取效率的影响 | 第100-103页 |
| 6.3.3 双嵌入式光子晶体对光提取效率的影响 | 第103-107页 |
| 6.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 总结与展望 | 第108-112页 |
| 7.1 论文主要研究成果 | 第108-110页 |
| 7.2 论文存在的不足之处及后续工作展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 博士期间发表的学术论文、参与的项目及获得的奖励 | 第137-138页 |
| 发表的学术论文 | 第137页 |
| 参与的项目 | 第137-138页 |
| 附录 英文论文两篇 | 第138-156页 |
| 附件 | 第156页 |
