| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 相变存储器概述 | 第10-18页 |
| 1.1.1 相变存储器的工作原理 | 第10-12页 |
| 1.1.2 相变存储器的结构研究 | 第12-14页 |
| 1.1.3 相变存储材料研究 | 第14-18页 |
| 1.2 提高相变存储密度的方法 | 第18-19页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 纳米尺度Ge_2Sb_2Te_5薄膜存储性质的研究 | 第25-43页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备与测试过程 | 第26-28页 |
| 2.3 C-AFM模式下非晶态Ge_2Sb_2Te_5薄膜的电学特性 | 第28-35页 |
| 2.3.1 当测试偏压较小时,Ge_2Sb_2Te_5薄膜的电学性质 | 第28-31页 |
| 2.3.2 当测试偏压较大时,Ge_2Sb_2Te_5薄膜的电学性质 | 第31-33页 |
| 2.3.3 非晶态Ge_2Sb_2Te_5薄膜发生阈值开关效应的阈值电场 | 第33-35页 |
| 2.4 利用C-AFM制备Ge_2Sb_2Te_5非晶“ON”态和晶态记录点 | 第35-39页 |
| 2.4.1 利用C-AFM制备Ge_2Sb_2Te_5非晶“ON”态记录点 | 第36-37页 |
| 2.4.2 利用C-AFM制备Ge_2Sb_2Te_5晶态记录点 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 激光晶化Ge_2Sb_2Te_5薄膜的表征 | 第43-60页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 激光晶化Ge_2Sb_2Te_5薄膜的AFM形貌表征 | 第44-49页 |
| 3.3 激光晶化Ge_2Sb_2Te_5薄膜的光学性质 | 第49-52页 |
| 3.4 激光晶化Ge_2Sb_2Te_5薄膜的拉曼光谱分析 | 第52-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第四章 总结与展望 | 第60-63页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第60-61页 |
| 4.2 展望 | 第61-63页 |
| 硕士阶段发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
