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基于SMR硬盘的缓存设计

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 绪论第7-12页
    1.1 研究背景第7-9页
    1.2 研究现状第9-10页
    1.3 本论文的研究目标第10-11页
    1.4 论文的组织第11-12页
第2章 论文相关背景知识介绍第12-28页
    2.1 温彻斯特硬盘第12-17页
        2.1.1 硬盘的历史第12-13页
        2.1.2 硬盘的物理结构第13-15页
        2.1.3 硬盘的逻辑结构第15-16页
        2.1.4 硬盘的基本参数第16-17页
    2.2 SMR硬盘第17-22页
        2.2.1 SMR技术的历史第17-18页
        2.2.2 SMR硬盘的基本结构第18-20页
        2.2.3 SMR硬盘的写入干扰和写入放大问题第20-22页
        2.2.4 SMR硬盘的基本参数第22页
    2.3 DRAM第22-23页
        2.3.1 DRAM介绍第22-23页
        2.3.2 DRAM的基本参数第23页
    2.4 存储器的分类第23-28页
        2.4.1 按存储介质的材料分类第23-24页
        2.4.2 按存取方式和存取单位分类第24页
        2.4.3 按存储器读写功能和可保存性分类第24页
        2.4.4 按串行、并行存取方式分类第24-25页
        2.4.5 基于存储介质特性的存储系统研究方法第25-28页
第3章 基于SMR硬盘的缓存设计方法第28-42页
    3.1 介绍第28-30页
    3.2 设计方法第30-36页
        3.2.1 系统写入过程设计第32-33页
        3.2.2 系统读出过程设计第33-34页
        3.2.3 系统缓存替换策略设计第34页
        3.2.4 系统算法描述第34-36页
    3.3 实验工具和数据来源第36页
    3.4 实验目的第36页
    3.5 实验设计第36-40页
        3.5.1 数据源的处理第36-38页
        3.5.2 SMR模拟器的编写第38-39页
        3.5.3 实验参数值的设定第39-40页
    3.6 实验结果及分析第40-41页
    3.7 本章总结第41-42页
第4章 一些其他缓存设计的相关问题探讨第42-45页
    4.1 介绍第42页
    4.2 方案第42-44页
    4.3 总结第44-45页
第5章 总结与展望第45-48页
    5.1 总结第45页
    5.2 展望第45-48页
致谢第48-49页
参考文献第49-53页

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