| 论文创新点 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 热电材料研究的背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 热电效应简介及应用 | 第15-19页 |
| 1.3 热电材料研究进展 | 第19-22页 |
| 1.3.1 不同温区的热电材料 | 第19-20页 |
| 1.3.2 提高材料热电性能的方法 | 第20-22页 |
| 1.4 本文选题的目的和研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第24-41页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-29页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第27-29页 |
| 2.1.4.1 平面波基组 | 第27-28页 |
| 2.1.4.2 赝势 | 第28-29页 |
| 2.2 电子Boltzmann输运理论 | 第29-30页 |
| 2.3 分子动力学方法 | 第30-37页 |
| 2.4 声子Boltzmann输运理论 | 第37-39页 |
| 2.5 计算流程图 | 第39-41页 |
| 第三章 优化载流子浓度提高CuInTe_2的热电性能 | 第41-50页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 计算细节 | 第42-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第43-44页 |
| 3.3.2 电子结构及态密度 | 第44-45页 |
| 3.3.3 室温输运系数及ZT值 | 第45-47页 |
| 3.3.4 热电性能随温度变化关系 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 CuInTe_2晶格热导率的分子动力学模拟 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 计算细节 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-59页 |
| 4.3.1 晶体结构及势函数拟合 | 第52-54页 |
| 4.3.2 晶格热导率 | 第54-55页 |
| 4.3.3 Cd掺杂对晶格热导率的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.4 Cu空位对晶格热导率的影响 | 第56-58页 |
| 4.3.5 优化的ZT值 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 石墨烯及BN片层复合体系的热电性能 | 第60-71页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 计算细节 | 第61-62页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第62-70页 |
| 5.3.1 晶体结构 | 第62-63页 |
| 5.3.2 能带结构 | 第63页 |
| 5.3.3 弛豫时间 | 第63-65页 |
| 5.3.4 室温输运系数 | 第65-67页 |
| 5.3.5 晶格热导率 | 第67-69页 |
| 5.3.6 ZT值随温度的变化关系 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 SiGe纳米管的热电性能 | 第71-85页 |
| 6.1 引言 | 第71-72页 |
| 6.2 计算细节 | 第72-73页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第73-83页 |
| 6.3.1 结构和电子特性 | 第73-75页 |
| 6.3.2 载流子弛豫时间 | 第75-77页 |
| 6.3.3 室温电输运系数 | 第77-78页 |
| 6.3.4 晶格热导率 | 第78-80页 |
| 6.3.5 室温ZT值 | 第80-81页 |
| 6.3.6 ZT值随温度的变化关系 | 第81-83页 |
| 6.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 第七章 总结与展望 | 第85-89页 |
| 7.1 全文总结 | 第85-87页 |
| 7.2 未来展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-104页 |
| 博士期间的科研成果目录 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106页 |