| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-50页 |
| 1.1 多铁性材料和磁电效应概述 | 第14-19页 |
| 1.1.1 铁电材料 | 第14-15页 |
| 1.1.2 磁性材料 | 第15-16页 |
| 1.1.3 多铁性材料 | 第16-18页 |
| 1.1.4 磁电效应概述 | 第18-19页 |
| 1.2 多铁材料的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 单相多铁化合物 | 第20-26页 |
| 1.3.1 单相多铁化合物概述 | 第20页 |
| 1.3.2 BiFeO_3的结构 | 第20-22页 |
| 1.3.3 BiFeO_3的掺杂改性 | 第22-23页 |
| 1.3.4 BiFeO_3的磁性 | 第23-24页 |
| 1.3.5 BiFeO_3的磁电耦合性质 | 第24-26页 |
| 1.4 磁电复合薄膜 | 第26-31页 |
| 1.4.1 复合磁电薄膜概述 | 第26-29页 |
| 1.4.2 磁电复合薄膜中的磁电耦合效应 | 第29-31页 |
| 1.5 多铁材料中的畴结构 | 第31-37页 |
| 1.5.1 铁电畴 | 第31-32页 |
| 1.5.2 铁电畴的翻转 | 第32-34页 |
| 1.5.3 畴变和相变的关系 | 第34-36页 |
| 1.5.4 磁畴 | 第36-37页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-50页 |
| 第二章 多铁薄膜的微区表征技术及基本原理 | 第50-72页 |
| 2.1 扫描探针显微镜(SPM)概述 | 第50页 |
| 2.2 原子力显微镜的工作原理 | 第50-53页 |
| 2.2.1 原子力显微镜的工作模式 | 第52-53页 |
| 2.3 压电力显微镜(PFM) | 第53-58页 |
| 2.3.1 PFM的工作原理 | 第53-57页 |
| 2.3.2 压电力模式下诱导电畴翻转 | 第57-58页 |
| 2.4 导电原子力显微镜(c-AFM) | 第58-64页 |
| 2.4.1 c-AFM的工作原理 | 第58-59页 |
| 2.4.2 c-AFM测量的两种方式 | 第59-61页 |
| 2.4.3 导电探针 | 第61-64页 |
| 2.5 磁力显微镜(MFM) | 第64-69页 |
| 2.5.1 磁力显微镜的工作原理 | 第64-68页 |
| 2.5.2 磁力探针 | 第68-69页 |
| 2.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第三章 反铁电/铁磁复合薄膜的制备与磁电耦合特性 | 第72-90页 |
| 3.1 引言 | 第72-73页 |
| 3.2 复合薄膜中各组成相的结构和基本性质 | 第73-74页 |
| 3.3 Co-PNZST复合薄膜的制备 | 第74-76页 |
| 3.3.1 PNZST薄膜的制备 | 第74-76页 |
| 3.3.2 Co薄膜的制备 | 第76页 |
| 3.4 Co/PNZST复合薄膜的结构和性质表征 | 第76-79页 |
| 3.4.1 Co/PNZST复合薄膜的相结构 | 第76-77页 |
| 3.4.2 Co/PNZST复合薄膜的铁电性质 | 第77-78页 |
| 3.4.3 Co-PNZST复合薄膜的压电性质 | 第78-79页 |
| 3.4.4 Co/PNZST复合薄膜的磁学性质 | 第79页 |
| 3.5 Co/PNZST复合薄膜的磁电耦合效应 | 第79-86页 |
| 3.5.1 外电场下磁畴结构的变化 | 第80-82页 |
| 3.5.2 外电场下复合薄膜的磁性变化 | 第82-83页 |
| 3.5.3 磁电耦合机理 | 第83-86页 |
| 3.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第四章 La掺杂BiFeO_3薄膜的局域电导特性 | 第90-106页 |
| 4.1 引言 | 第90-91页 |
| 4.2 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的制备与基本性质表征 | 第91-95页 |
| 4.2.1 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的制备 | 第91-92页 |
| 4.2.2 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的相结构 | 第92-93页 |
| 4.2.3 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的微结构 | 第93页 |
| 4.2.4 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的铁电性 | 第93-94页 |
| 4.2.5 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的磁性 | 第94-95页 |
| 4.3 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域电导特性 | 第95-99页 |
| 4.3.1 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域电导随偏压的变化特征 | 第95-97页 |
| 4.3.2 低电压下薄膜的局域电导特性 | 第97-98页 |
| 4.3.3 高电压下薄膜的局域电导特性 | 第98-99页 |
| 4.4 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域电极化对电导的影响 | 第99-101页 |
| 4.5 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域电阻开关特性 | 第101-103页 |
| 4.6 本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第五章 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域磁电耦合特性 | 第106-118页 |
| 5.1 引言 | 第106-107页 |
| 5.2 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的磁畴结构和磁性 | 第107-108页 |
| 5.3 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域磁电耦合效应 | 第108-112页 |
| 5.3.1 磁场对Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜铁电极化的调控 | 第109-110页 |
| 5.3.2 磁场Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜铁电极化调控的微观表征 | 第110-111页 |
| 5.3.3 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的磁电耦合机理 | 第111-112页 |
| 5.4 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的局域磁电阻效应 | 第112-114页 |
| 5.4.1 Bi_(0.9)La_(0.1)FeO_3薄膜的电阻随磁场的变化 | 第112-113页 |
| 5.4.2 磁场对薄膜电阻开关场的影响 | 第113-114页 |
| 5.5 本章小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第六章 总结与展望 | 第118-121页 |
| 6.1 全文总结 | 第118-120页 |
| 6.2 论文的主要创新点 | 第120页 |
| 6.3 论文的不足之处和展望 | 第120-121页 |
| 发表和待发表论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
