| 中文摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 概述 | 第14页 |
| 1.2 阻变存储器的发展背景 | 第14-25页 |
| 1.2.1 阻变存储器的基本结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 电阻转变效应简介 | 第16-17页 |
| 1.2.3 阻变存储器的电阻转变机理 | 第17-21页 |
| 1.2.4 阻变存储器的研究现状 | 第21-25页 |
| 1.3 新型d~0铁磁性材料的发展历程与研究现状 | 第25-26页 |
| 1.4 RRAM中电场调控磁性研究 | 第26-30页 |
| 1.5 课题的选取及研究意义 | 第30-32页 |
| 第二章 实验方法 | 第32-37页 |
| 2.1 薄膜样品制备技术 | 第32-34页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第32-33页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜技术 | 第33-34页 |
| 2.2 薄膜样品表征技术 | 第34-35页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第34-35页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第35页 |
| 2.3 样品阻变性能与磁性测量方法 | 第35-37页 |
| 2.3.1 多功能振动样品磁强计系统VersaLab | 第35-36页 |
| 2.3.2 阻变存储器测量系统 | 第36-37页 |
| 第三章 Ag/HfO_2/Pt器件的阻变特性与电控d~0磁性研究 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 样品制备及测量方法 | 第38-40页 |
| 3.3 氧化铪薄膜室温铁磁性的研究 | 第40-41页 |
| 3.4 器件电阻转变特性和阻变机理研究 | 第41-46页 |
| 3.4.1 Ag/HfO_2/Pt器件的电阻转变特性 | 第41-43页 |
| 3.4.2 器件的电阻转变机理研究 | 第43-46页 |
| 3.5 器件电控磁转变机理的研究 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Ta/ZnO/Pt器件的阻变特性与电控磁研究 | 第49-63页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 样品制备及测量方法 | 第49-52页 |
| 4.3 氧化锌薄膜室温铁磁性的研究 | 第52-54页 |
| 4.4 器件电阻转变特性和阻变机制研究 | 第54-59页 |
| 4.4.1 器件的电阻转变特性研究 | 第54-56页 |
| 4.4.2 器件的电阻转变机理研究 | 第56-59页 |
| 4.5 器件电控磁转变机理的研究 | 第59-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 Ta/SnO_2/Pt器件的阻变特性与电控磁性研究 | 第63-75页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 样品制备及测量方法 | 第63-66页 |
| 5.3 SnO_2薄膜的室温铁磁性的研究 | 第66-68页 |
| 5.4 器件的电阻转变特性和阻变机理研究 | 第68-72页 |
| 5.4.1 器件的电阻转变特性研究 | 第68-69页 |
| 5.4.2 器件的电阻转变机理研究 | 第69-72页 |
| 5.5 器件电控磁转变机理的研究 | 第72-74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 总结 | 第75-76页 |
| 6.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第86-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
