摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-32页 |
1.1 论文背景与研究意义 | 第13-15页 |
1.2 声表面波传感器技术 | 第15-21页 |
1.2.1 声表面波 | 第15-17页 |
1.2.2 声表面波器件 | 第17-19页 |
1.2.3 压电材料参数 | 第19-21页 |
1.3 声表面波传感器的研究进展 | 第21-29页 |
1.3.1 声表面波力敏传感器 | 第21-25页 |
1.3.2 声表面波高温传感器 | 第25-28页 |
1.3.3 薄膜型声表面波传感器 | 第28-29页 |
1.4 论文选题依据与研究内容 | 第29-32页 |
第二章 实验方法 | 第32-44页 |
2.1 AlN薄膜的制备方法 | 第32-34页 |
2.1.1 中频磁控反应溅射系统 | 第32-33页 |
2.1.2 AlN薄膜的制备 | 第33-34页 |
2.2 薄膜分析方法 | 第34-35页 |
2.2.1 X射线衍射分析 | 第34-35页 |
2.2.2 扫描电子显微镜 | 第35页 |
2.2.3 原子力显微镜 | 第35页 |
2.2.4 表面示廓仪 | 第35页 |
2.3 声表面波器件的有限元仿真方法 | 第35-39页 |
2.4 声表面波器件的制备技术 | 第39-41页 |
2.5 声表面波器件无线测试系统 | 第41-43页 |
2.6 本章小结 | 第43-44页 |
第三章 LGS声表面波谐振器的高温特性研究 | 第44-72页 |
3.1 LGS压电单晶材料介绍 | 第44页 |
3.2 LGS声表面波谐振器仿真 | 第44-51页 |
3.3 LGS声表面波器件制备与测试 | 第51-54页 |
3.3.1 器件制备 | 第51页 |
3.3.2 常温特性测试 | 第51-52页 |
3.3.3 频率-温度特性测试 | 第52-54页 |
3.4 AlN防护层对LGS声表面波谐振器性能的影响 | 第54-69页 |
3.4.1 具有AlN防护层的声表面波器件的仿真 | 第55-58页 |
3.4.2 具有AlN防护层的声表面波器件的制备与测试 | 第58-69页 |
3.5 本章小结 | 第69-72页 |
第四章 LGS声表面波谐振器的高温应变传感特性研究 | 第72-84页 |
4.1 声表面波谐振器高温应变测试原理 | 第72-74页 |
4.2 声表面波谐振器应变传感测试 | 第74-80页 |
4.2.1 应变的标定 | 第75-76页 |
4.2.2 声表面波谐振器常温应变特性测试 | 第76-77页 |
4.2.3 声表面波谐振器高温应变测试 | 第77-80页 |
4.3 声表面波谐振器的应变测试误差分析 | 第80-82页 |
4.4 本章小结 | 第82-84页 |
第五章 与金属件集成的声表面波器件研究 | 第84-118页 |
5.1 TC4合金和AlN薄膜材料介绍 | 第85-86页 |
5.2 AlN/TC4结构的声表面波器件设计与仿真 | 第86-100页 |
5.2.1 AlN/TC4中声波传播特性的有限元法仿真 | 第86-90页 |
5.2.2 AlN/TC4结构的散射矩阵仿真 | 第90-100页 |
5.3 与TC4合金集成的声表面波器件制备 | 第100-104页 |
5.3.1 AlN薄膜制备 | 第100-103页 |
5.3.2 器件制备 | 第103-104页 |
5.4 与TC4合金一体化集成的声表面波器件常温性能测试 | 第104-108页 |
5.4.1 AlN薄膜厚度对器件中声速的影响 | 第104-106页 |
5.4.2 AlN薄膜对器件K2与Q值的影响 | 第106-108页 |
5.5 与TC4合金一体化集成的声表面波器件高温性能测试 | 第108-114页 |
5.5.1 频率-温度特性 | 第108-112页 |
5.5.2 温度稳定性及测试误差分析 | 第112-114页 |
5.6 与TC4合金一体化集成的声表面波器件应变性能测试 | 第114-116页 |
5.7 本章小结 | 第116-118页 |
第六章 全文总结与展望 | 第118-122页 |
6.1 全文总结 | 第118-120页 |
6.1.1 主要结论 | 第118-120页 |
6.1.2 主要创新点 | 第120页 |
6.2 后续工作展望 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-123页 |
参考文献 | 第123-132页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第132-133页 |