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金属改性钼酸镉光催化剂的合成及其性能研究

中文摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-26页
   ·半导体光催化反应概述第9-12页
     ·半导体光催化的研究背景第9-10页
     ·半导体光催化剂的基本原理第10-12页
       ·半导体能带理论及光激发过程第10页
       ·光催化反应机理第10-12页
   ·半导体光催化剂的制备第12-18页
     ·水热法第13-14页
     ·沉淀法第14-15页
     ·微乳液法第15-16页
     ·模板法第16-18页
     ·熔盐法第18页
   ·提高光催化剂性能的主要途径第18-21页
     ·掺杂第18-19页
     ·贵金属沉积第19-20页
     ·半导体复合第20-21页
     ·表面光敏化第21页
   ·光催化技术的应用第21-23页
     ·废水处理第21-22页
     ·室内空气净化第22页
     ·抗菌和脱臭第22-23页
     ·自清洁第23页
     ·制氢第23页
   ·立题依据与实验构想第23-26页
第二章 实验部分第26-34页
   ·主要实验药品及仪器第26-27页
     ·主要实验药品第26-27页
     ·主要实验仪器第27页
   ·实验内容第27-34页
     ·催化剂的制备第27-28页
       ·金属离子掺杂第27-28页
       ·贵金属沉积第28页
     ·催化剂的物理表征第28-31页
       ·晶相结构表征第28-29页
       ·扫描电子显微镜第29页
       ·透射电子显微镜第29页
       ·紫外可见漫反射吸收光谱第29-30页
       ·X射线光电子能谱第30页
       ·傅立叶红外光谱第30页
       ·拉曼光谱第30-31页
     ·催化剂的光催化活性评价第31-32页
       ·催化剂的紫外光光催化活性评价第31页
       ·催化剂的可见光光催化活性评价第31-32页
     ·铝酸镉光催化降解罗丹明B机理研究第32-34页
       ·活性自由基的捕获第32页
       ·DPD法检测过氧化氢第32-34页
第三章 ⅢA金属元素X(X=Al、Ga、In)改性的CdMoO_4的合成及其光催化性能的研究第34-58页
   ·引言第34页
   ·实验结果与讨论第34-56页
     ·晶体结构第34-38页
     ·光吸收性能第38-40页
     ·拉曼谱图和红外谱图分析第40-44页
     ·形貌分析第44-45页
     ·XPS谱图分析第45-48页
     ·光催化性能研究第48-50页
       ·未改性的铝酸镉光催化降解罗丹明B第48-49页
       ·第三主族金属元素掺杂CdMoO_4样品光催化降解RhB第49-50页
     ·机理分析第50-56页
       ·钼酸镉光催化降解罗丹明B光催化机理研究第50-54页
       ·ⅢA金属元素X(X=Al、Ga、In)改性的CdMoO_4光催化降解罗丹明B的机理第54-56页
   ·本章小结第56-58页
第四章 贵金属(Au、Ag)沉积CdMoO_4的合成及其光催化性能研究第58-80页
   ·引言第58-59页
   ·实验结果与讨论第59-78页
     ·Ag沉积钼酸镉第59-69页
       ·晶体结构第59-60页
       ·形貌分析第60-63页
       ·光吸收性能第63-64页
       ·XPS谱图分析第64-66页
       ·光催化性能研究第66-69页
     ·Au沉积钼酸镉第69-76页
       ·晶体结构第69页
       ·形貌分析第69-71页
       ·光吸收性能第71-72页
       ·XPS谱图分析第72-74页
       ·光催化性能研究第74-76页
     ·贵金属(Ag、Au)沉积的铝酸镉降解罗丹明B机理分析第76-78页
   ·本章小结第78-80页
第五章 结论第80-82页
参考文献第82-91页
致谢第91-92页
个人简历第92页
学术论文第92页
研究成果第92页

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